三星電子挑戰英特爾 爭搶半導體霸主
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除了創意的思考與對家庭的親情之外，其餘的工作都交給快閃記憶體吧！」今年九月三星電子半導體部門總經理黃昌圭意氣風發地向全球宣告，以快閃記憶體來創造消費者生活樂園的「快閃記憶體烏托邦」已翩然降臨。儘管目前三星電子在全球半導體市場的排名仍在英特爾之後，但三星認為，現在已是記憶體主導的時代，由於三星不論在ＰＣ、系統晶片等產品組合均有完善規劃，因此反而比英特爾更具優勢。 撰文=李修瑩
不過就在去年，素有「Mr. Flash」之稱的黃昌圭才提出所謂「Flash Rush」的名詞，預言所有的可攜式儲存裝置將被快閃記憶體替代，快閃記憶體市場將爆發性地成長；而今，其對快閃記憶體的看好度似乎與日俱增，他認為快閃記憶體不只將運用於資訊儲存、可攜式裝置方面，而且將在提升人類整體生活質量上，帶來更廣泛的影響。這樣的信心滿滿，是奠基於三星電子在快閃記憶體技術上的不斷突破。
自一九九九年開發出二百五十六ＭＢNAND型快閃記憶體以來，三星電子即憑藉著創新的技術，連續七年印證著黃昌圭所發表的新記憶體成長理論，亦即「記憶體密度將以每十二個月增加一倍速度成長」的黃氏法則。
三星電子一路由二○○○年的五百一十二ＭＢ，至二○○五年的五十奈米製程十六ＧＢ產品，一直扮演著技術領先者的角色。
而今年九月所發表的四十奈米製程三十二ＧＢ快閃記憶體，最大的突破便是採用了新概念的ＣＴＦ（Charge Trap Flash）技術，取代過去數十年來由東芝所研發且廣為業界應用的浮置闡（Floating Gate）技術，並克服原本被視為不可能的五十奈米以下製程限制，使得未來四十奈米製程產品的商用化可能性大幅提高。
三星電子於二○○一年開始研發ＣＴＦ技術，歷經五年便成功，並已取得一百五十五項根源技術及改良技術專利。ＣＴＦ技術同時具備超微細化、高容量化及高性能化的特色，透過ＣＴＦ技術可使半導體晶胞（Cell）大小縮減二八％，並可節省二○％的製程數，大幅降低製造成本。
ＣＴＦ除了開發出的四十奈米製程產品，未來將可適用於二十奈米製程的二百五十六ＧＢ產品。而透過技術的進一步改良，將可促成半導體產業由如今的Giga時代，邁入二○一○年以後的一Tera bit（一千ＧＢ）時代，而三星電子藉由此一新技術，預估也將使其與競爭者間的技術落差擴大兩到三年。黃昌圭認為，三星電子的競爭力，並不僅止於開發產品，而是要致力於比別人早一步創造出新市場，這便是三星電子與其他競爭者的最大差異。
此外，三星電子也將今年視為NAND型快閃記憶體進入ＰＣ市場元年，並已於今年六月推出第一批採用ＳＳＤ（Solid State Disk）的無硬碟「數位個人電腦」（Digital PC）。而在成功開發出四十奈米製程三十二ＧＢ產品後，未來更計劃將NAND型快閃記憶體運用於所有使用硬碟的數位產品。
由於快閃記憶體價格已大幅下滑，未來快閃記憶體將可更快速地運用於生活各領域，以市場規模推估，若是運用於ＰＣ的NAND型快閃記憶體至二○一○年可形成一百七十億美元的新興市場，則其占NAND型快閃記憶體市場的比重，將由今年的三％成長至二○一○年的二六％。 三星電子的四十奈米製程三十二ＧＢNAND型快閃記憶體晶片，預計於二○○八年導入量產，屆時將可製造出最大容量為六十四ＧＢ的記憶卡，若是與ＰＣ用的一百ＧＢ硬碟主流產品來比，兩者的落差已大幅減少，雙方短兵相接將在所難免。首當其衝者，應該是目前配備一．八吋硬碟的個人電腦，其被配備一百二十八ＧＢ的ＳＳＤ無硬碟產品所取代情況將會加速。 三星電子預估，在二○○八年正式量產之後，未來五年內將形成五百億美元以上的NAND型快閃記憶體市場，未來十年間累積可帶來兩千四百億美元以上的經濟效益。
儘管目前三星電子在全球半導體市場的排名仍在英特爾之後，但是對於挑戰英特爾的龍頭寶座，三星也訂下了時間表。三星認為，在半導體市場由中央處理器技術主導的時代，固然由英特爾執牛耳，但是現在已是記憶體主導的時代，由於三星不論在ＰＣ、行動通訊、系統晶片等各種產品組合均有完善規劃，因此反而比英特爾更具優勢。目前三星半導體部門的營收雖只有英特爾的六成，但是獲利率卻高於英特爾。所以三星計劃以每年二○％的成長，於二○一○年達到銷售額四百億美元的目標，一舉超越英特爾。
三星電子以半導體技術來寫歷史，也使得記憶體由單純地運用於ＰＣ或行動裝置上，變身成為日常生活中不可或缺的角色。而記憶體市場的爆發性成長，配合記憶體技術的突破性發展，也使得三星電子所謂的「快閃記憶體烏托邦」，將不是遙不可及的夢想，而是可實現的未來。
