台積電近日於官網低調更新資訊，指出2奈米（N2）製程技術已如期於2025年第四季開始量產，產線主要位於新竹寶山二十廠與高雄二十二廠。
台積電表示，台積公司N2技術將成為業界在密度和能源效率上最為先進的半導體技術；首度採用奈米片（Nanosheet）電晶體結構，將提供全製程節點的效能及功耗的進步，以滿足節能運算日益增加的需求。
台積電董事長暨執行長魏哲家在10月法說會中表示：「N2製程進展順利，預計將於本季稍晚進入量產，目前良率表現良好。」他也指出，隨著智慧型手機與高效能運算（HPC）AI應用帶動，預期2026年的量產爬坡速度將更快。
2奈米改採奈米片電晶體，首度使用GAAFET架構
台積電2奈米（N2）製程的一大技術重點，在於首度導入GAAFET（Gate-All-Around FET，環繞閘極場效電晶體）架構的奈米片電晶體技術。
GAAFET架構是什麼？
GAAFET的特徵，是讓閘極從四周包覆電流通道，相較過去的平面型、三面FinFET（鰭式場效電晶體）電晶體結構，四面環繞的結構能夠更有效控制電流。台積電指出，第一代奈米片技術可在全製程節點上，同步帶來效能與功耗的進步。
在實際效果上，台積電表示，相較前一代3奈米製程，2奈米在相同功耗下速度可提升10%至15%，在相同速度下，功耗可降低25%至30%。台積電指出，他們同時發展低阻值重置導線層與超高效能金屬層間電容，以持續提升2奈米製程的效能表現。
台積電預估，2奈米製程在前2年的產品設計定案（tape outs）數量，將高於3奈米的同期表現，應用在超級電腦、行動裝置、雲端資料中心等領域。
競爭者三星、英特爾進度如何？
在台積電2奈米量產之際，主要競爭者三星電子與英特爾也持續推進新一代GAAFET架構製程。英特爾的GAAFET技術命名為RibbonFET，三星則稱為MBCFET（Multi-Bridge Channel FET），三者在技術路徑上皆屬於「閘極全包覆」架構，概念與奈米片電晶體大致相近。
二奈米進度方面，韓國媒體《首爾經濟日報》報導，三星正與AMD洽談，討論以三星第二代2奈米製程代工AMD設計的晶片，預計最快於明年1月左右確認是否簽署正式合約。若三星製程通過AMD的效能驗證，將提高AMD採取「雙代工策略」的可能性，未來除台積電外，也可能將部分產品交由三星生產。
《路透社》指出，輝達近期曾測試是否採用英特爾二奈米18A製程生產晶片，但後續喊停。對此，英特爾發言人回應表示，18A製程進展順利，市場對下一代14A製程也持續展現高度興趣，但目前尚未公布具體量產時程與客戶名單。
根據市調機構TrendForce，2025 年第三季全球晶圓代工營收市占中，台積電仍以71%穩居第一。
邁向埃米級製程，A16導入背面供電架構
在2奈米順利量產之後，台積電下一步將邁向「埃米級」製程。台積電表示，A16製程結合奈米片電晶體，並導入創新的超級電軌（Super Power Rail，SPR）解決方案，預計於2026年量產。
SPR的核心差異，在於將供電線路由晶圓正面移至背面，以釋放正面佈線空間，進一步提升邏輯密度與效能，同時降低壓降，改善供電效率。台積電也指出，其獨特的背面接面（Back side Contact）技術，能在背面供電架構下，維持與傳統正面供電相同的閘極密度、布局彈性與元件寬度調節能力。
台積電指出，相較於N2P製程，A16在相同工作電壓下，速度可提升8%至10%，在相同速度下，功耗可降低15%至20%，晶片密度最高可提升至1.10倍，特別適用於高效能運算產品。
