氮化鎵
GaN
是用於新一代功率元件的半導體材料,耐高頻特性使其在低耐壓領域的應用日益廣泛。其提高功率轉換效率亦可實現裝置的小型化。與量產化的SiC(碳化矽)相比,氮化鎵是更具優勢的新世代功率元件。 (來源: Digitimes )
氮化鎵
電源管理兼顧節能與高功率密度,英飛凌強推氮化鎵GaN解決方案
功率半導體龍頭英飛凌,今(4)日推出氮化鎵為基礎的電源解決方案,其耐高溫、高頻高壓的特性,能替研發人員省下材料成本。英飛凌計算,若全美資料中心換用換用氮化鎵解決方案,節省的電量相當於雙北年用電量的10.7%...
2018-12-04
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