三星電子(Samsung Electronics)領先全球同業、於去年10月搶先量產3D架構的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)產品，但三星的領先優勢恐維持不了多久，因為三星NAND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產3D NAND Flash、且其製造技術更勝三星一籌！
日本媒體產經新聞25日報導，三星於去年量產的3D NAND Flash產品為垂直堆疊32層，但東芝已研發出超越三星的製造技術、可堆疊48層，且東芝計畫於今年下半年透過旗下四日市工廠開始量產上述48層架構的3D NAND Flash產品。NAND flash多用於智慧機、平板等行動裝置，電源關閉後，儲存內容也不會消失。
報導指出，東芝所將量產的3D NAND Flash產品記憶容量較現行產品呈現大幅度提高、且也將超越三星的產品。據報導，三星於去年量產的3D NAND Flash產品傳出不良率偏高、且獲利不佳，而東芝雖面臨同樣的問題，但因已確立了生產技術、故已決定進行樣品出貨。
據報導，東芝和三星皆計畫於數年內研發出容量達1Tb(Tera bit；1Tb=1,000Gb)的3D NAND Flash產品，而一旦實現，就可在智慧手機儲存高達數十小時的4K影片。
根據市調機構TrendForce公佈的資料顯示，2014年第四季三星NAND Flash全球市佔率為27.9%、穩居首位，其次分別為東芝的21.9%、SanDisk的18.2%、美光的13.7%以及SK Hynix的11.4%。
本文出自MoneyDJ/蔡承啟
