三星電子（Samsung Electronics）於今（30）日發表聲明，宣布已開始在位於首爾南部華城的晶片廠內大規模量產3奈米晶片。這也代表三星在與台積電先進製程的競賽上，取得領先優勢。
《日經亞洲》指出，先進製程技術的困難點在於，必須將更多電晶體堆疊在更小的晶片上，而三星如今展現的3奈米量產能力，昭示了該間晶片製造商於技術方面的實力。
三星在官方推特上表示，將採用GAA（Gate-All-Around）技術，並指出相較於5奈米，3奈米晶片能夠降低45%的功耗、提升23％的性能並降低16%的表面積。不過分析師也指出，良率將是後續觀察關鍵。
決戰兩奈米，三星、台積電勝負結果還要再等等
目前台積電在晶圓代工上，仍居於主導地位。台積電目前仍佔全球晶圓代工營收的一半以上，也是iPhone、iPad等產品處理器的獨家供應商。《彭博社》指出，三星若想與台積電匹敵，3奈米量產極為重要的一步。
在本月初的股東會上，台積電董事長劉德音才強調，先進製程的進展都按照計畫發展中，預計2022下半年將量產3奈米晶片，與三星不同的是，將採較為成熟的FinFET（Fin Field Effect Transistor，FinFET）工藝。一直到2025年量產2奈米時，才會採用GAA技術。
換句話說，雖然三星目前居於領先地位，但2奈米將會是揭曉勝負的關鍵時點。
佈局兩奈米，三星動作頻頻
三星晶圓代工業務總裁暨負責人表示，三星正進入高速成長期，將持續在下一代的製造技術上，保持領先姿態。不過該公司目前仍拒絕透露客戶名單。
雖然在3奈米暫居領先，不過三星並未暫停佈局腳步。
三星於去年底宣布，預計於美國德州斥資170億美元設立新廠，生產行動裝置、5G、高效能運算和AI（人工智慧）等先進晶片，預計2023年上半年動工，2024 下半年投產。
上個月，三星電子副會長李在鎔（Lee Jae-yong）以及執行長慶顯桂（Kyung Kye-hyun）也造訪了ASML位於荷蘭的高層，討論關於關鍵設備極紫外光設備（EUV）的供應。三星近來動作頻頻，顯見對先進製程掌握的野心。
責任編輯：錢玉紘
