晶圓大廠聯電近日於上海浦東舉辦2014卓越論壇，由聯電執行長顏博文率高階團隊出席，以性價比為主題，針對中國IC設計業客戶的需求，探討聯電如何為其量身打造最佳性價比的晶圓專工製造服務。
聯電執行長顏博文指出，由於中國在全球智慧行動終端佔有主導性的市場佔比，也是全球3C產品在性價比競爭方面最領先的地區，因此聯電必須打造兼具深度、廣度、加值服務、加速產品上市等四大面向優勢。
顏博文表示，聯華電子顧名思義，就有著聯合全球華人電子科技的意涵， 2013聯電正式合併和艦科技，是一項很關鍵的布局。而聯電至今成立已34年，投入晶圓專工也已長達20年，有很長時間累積了堅實基礎與經驗。
在面對全球化競爭下，聯電從深度持續開發尖端邏輯製程，在獨立研發完成28nm製程世代後，聯電透過參加IBM研發聯盟，繼續挺進次世代製程研發。
在廣度部分，聯電則全面推進特殊技術先進製程，涵蓋了eFlash、CIS、eHV、BCD等特殊技術，製程則從8吋終極版的0.11um全鋁跨向12吋的55nm/40nm，未來將不斷精進。
而加值服務，指的是，聯電其實也能提供完整的一站式解決方案。除晶圓製造服務外，聯電也透過和供應鏈夥伴合作，提供多元化的商業模式選擇，除了原有的光罩製作之外，包括凸塊製作(Wafer Bumping)、晶圓測試、封裝、2.5D 與3D IC 矽穿孔(TSV) 技術等，使客戶能針對每個項目不同的需求，挑選最佳性價比的解決方案。
至於全方位設計支援則能加速產品上市，協助客戶將內部設計資源的效率發揮到極致。顏博文說明，聯電本身即規劃有周密完善的設計支援，新增或強化了包含P&R服務、CPU效能最佳化服務、第三方IP一站式服務、設計套件(FDK)客製化等項目。
今年聯電更樂觀看待2014年將有更多來自不同產品應用，更多的設計定案(tapeout)，針對28奈米HK/MG產線進行產能擴充。特別的是，為了強化28奈米設計平台，聯電先前也宣布針與安謀（ARM）合作IP技術，強化我們28奈米HLP平台。
