碳化矽能量耗損低、耐高溫,2023年將與矽基元件達甜蜜點價差
碳化矽能量耗損低、耐高溫,2023年將與矽基元件達甜蜜點價差

雖碳化矽(SiC)價格較矽半導體高出許多,然車廠仍有很高採用意願,主因碳化矽能量損耗低、具耐高壓、耐高溫、高頻化等特性,不僅適合於汽車嚴苛環境下使用,延伸好處是降低系統成本、提升功率密度等。DIGITIMES Research分析師林芬卉觀察,碳化矽在主驅逆變器及車載充電器(OBC)導入速度較快,且至2023年與矽基元件將會達到2.5倍甜蜜點的價差。

碳化矽應用於車載領域,除有利於降低系統成本外,其價格亦逐年呈現下跌趨勢。以6吋碳化矽晶圓為例,2021年價格約為1,000美元,預估2023年將降至700美元;碳化矽元件價格方面,預估2023年與矽基元件將會達到2.5倍甜蜜點的價差,亦即導入中階車款時,車廠仍能獲利。

林芬卉訪談發現,目前車廠積極導入的碳化矽應用產品為主驅逆變器及車載充電器。主驅逆變器方面,因碳化矽有利於系統效率提升、減少電池容量等,最能展現出系統級成本優勢;舉例來說,2021年中高階車款導入碳化矽主驅逆變器,整車總成本降幅可達160美元以上,預估2023年將可進一步降低230美元以上。

車載充電器方面,導入碳化矽好處為可藉大功率縮減充電時間,以及提升功率密度(power density)以縮減體積。目前車載充電器主流規格為6.6kW,預估2022年(含)以後11kW(含)以上漸成為主流規格,而隨著功率愈加提升,更有利於高規1,200V碳化矽元件導入。

DIGITIMES Research
圖/ DIGITIMES Research

責任編輯:傅珮晴、侯品如

關鍵字: #半導體產業

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