儘管美國將中芯國際列入「實體名單」，「嚴禁」10奈米以下設備、材料等，出貨給中芯。然而日前傳出，中國「虛擬貨幣」「挖礦」IC設計及「挖礦機」公司MinerVa Semiconductor生產的挖礦SoC，是由中芯7奈米製程代工生產。
國外著名「逆向工程」分析公司TechInsights 上週發布的報告，他們拆解MinerVa Semiconductor 挖礦用的專用IC，分析後確認這顆IC是由中芯7奈米製程代工。
根據MinerVa Semiconductor網站，這顆IC早在2021年7月就開始出貨，由此可推斷中芯在2021年年初，就有能力量產7奈米製程。
中芯共同執行長梁孟松，2017年10月加入中心後，短短一年多，他所帶領的團隊於2019年成功量產14奈米 FinFET製程，這對中芯而言是一大突破。
FinFET半導體結構是進入先進製程的一大門檻，能夠量產FinFET，才能朝7奈米、5奈米、3奈米前進。
目前只有英特爾、台積電、三星電子、格芯、聯電及中芯具量產FinFET的能力，中芯成功踏入14奈米製程後，進一步開發12奈米製程並且於2020年量產。
中芯挺進先進製程的腳步不停歇，積極向開發7奈米製程的道路前進。
美中貿易戰開始後，美國對中國高科技的發展，採取限制策略。對影響國防的科技的產業，美國會禁止廠商將敏感技術、設備、材料輸出到中國。
原本中芯向ASML訂購一台EUV設備，在美國的干預下，ASML禁止出貨給中芯。在沒有EUV的環境下，中芯挺進先進製程之路備感艱辛。
雪上加霜的是2020年12月18日，美國商務部將中芯列入「實體清單」，供應商必須獲得美國商務部的許可，方可出貨給中芯。對10奈米以下的技術、設備等，商務部會採取「推定拒絕」，直接禁止出貨給中芯。
中芯開始感受到「地緣政治」的壓力，此後中芯不再對外發布先進製程推進的進度。自此之後，就很少有關中芯在先進製程發展的報導，直到此次TechInsights「爆料」，大家才「驚覺」中芯在先進製程的發展，似乎是「鴨子划水」，默默地開發中。
中芯於2019年14奈米量產成功後，積極建立產能，並朝10奈米、7奈米研發。在沒有EUV的「加持」下，利用DUV(深紫外線)微影設備，以「多重曝光」的方式，達成7奈米製程量產。理論上只使用DUV設備可以做到5奈米製程，不過良率、生產效率等，較使用EUV差。
2018年台積電領先全球量產的7奈米製程N7，就是使用DUV，直到2019年N7+版本製程方採用EUV。
2019年起，中芯積極開發N+1製程，其實這就是7奈米製程，為了避免外界的過度渲染，因此使用代號。
梁孟松指出N+1製程在功耗及穩定性與7奈米相似，不過效能較7奈米差一些。
2020年中國「IC設計服務與IP開發設計公司」芯動科技(Innosilicon)，發布已在中芯的N+1製程成功投片，所有的IP皆是中國自產。
繼N+1後，比N+1更先進的製程為N+2也接續開發，據梁孟松表示N+2是加強版的7奈米製程，雖然他沒有明說，不過一般認為N+1與台積電N7相近，而N+2則以台積電N7P「為師」
芯動科技是中芯N+1製程的首批客戶，於2020年年底試產成功。此次MinerVa Semiconductor這顆挖礦IC，很可能是由芯動科技「操刀」，使用中芯N+1或N+2的7奈米製程。
挖礦專用IC因結構較單純，RAM(隨機存取記憶體)容量小，因此在新開發的製程投片，良率會超過很多IC，是晶圓廠新製程的最佳的「練兵」產品。
目前中國是「虛擬貨幣」挖礦機及挖礦專用IC的重鎮，而且這些公司行事低調，是中芯7奈米製程最佳的「練兵」客戶。
中芯14奈米FinFET製程的發展超乎外界所知，儘管美國企圖阻擋中芯往10奈米以下發展，其實從2021年起，中芯就悄悄地進入10奈米製程的量產。不過由於避開美國的制裁，中芯10奈米製程的產能很小。
中芯14奈米的產能頗大，月產能約3萬片左右。儘管中芯對外避談公司產能配置情況，不過相信美國官方對中芯產能及技術節點的發展狀況瞭若指掌。
前些日子，美國嘗試要求ASML禁止對中國輸出DUV設備，想必對中芯在只有DUV的設備下，仍能推進到10奈米級以下的製程頗有忌憚。
2021年中芯與芯動科技共同推展7奈米晶片，雖然出貨量不大，但已證明中芯有推進7奈米製程量產的實力。
此次藉TechInsights的報告，對外揭櫫中芯已經將中國半導體產業，推進到先進製程「梯隊」，只落後於台積電、三星電子及英特爾，領先格芯、聯電。這份報告點出中芯在先進製程已非「吳下阿蒙」，後續發展不容小覷。
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責任編輯：侯品如
