HP、Hynix以Memristor開發新世代電腦記憶體

2010.09.09 by
戴佳慧
HP、Hynix以Memristor開發新世代電腦記憶體
電腦記憶體性能一日千里,為了持續創造更快、容量更大的記憶體,半導體業者除了致力改善現有技術,也不斷尋找新的化學材料,突破目前科技瓶頸。H...

電腦記憶體性能一日千里,為了持續創造更快、容量更大的記憶體,半導體業者除了致力改善現有技術,也不斷尋找新的化學材料,突破目前科技瓶頸。

HP上周宣布將與韓國半導體製造商Hynix合作,以新科技量產一種目前只存在於實驗室的非線性電路元件memristor(憶阻器),作為下一代電腦記憶體的材料。

HP稱這種以memrisor作為材料的電阻性記憶體為ReRAM(Resistive RAM),並且看好它能夠以比Flash記憶體快十倍的速度、低十倍的功率消耗,取代Flash記憶體在行動裝置市場上的地位。HP的野心尚不僅於此,他們認為ReRAM也有取代DRAM甚至是硬碟的潛力,並看好ReRAM量產之後能夠在記憶體市場上開創出一統江湖的局面。

ReRAM的革命性效能完全建立在一種非線性電阻元件memristor上。不同於一般物質具有固定電阻值,memrisor的電阻值會隨著通過的電量而改變。觀察memristor的電阻值,就能夠知道之前通過電流的方向,因此它能夠作為永久記憶體材料。事實上memristor就是根據這個特性命名的,即「有記憶的電阻(memory resistor)」。

HP Labs在2008年展示的memristor是以二氧化鈦作為材料,此外還有其他物質也可以當作memristor,例如硬碟製造商Seagate Technology(希捷科技)曾經在學術期刊上發表以磁性物質製造memristor的研究成果。許多學術單位和企業研究中心都對memristor的應用抱持高度興趣,目前HP是當中最積極、也是最先提出量產計畫的業者。

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