全球第5大半導體封測廠力成,減DRAM產能加速3D IC製程

2012.02.09 by
劉建宏
全球第5大半導體封測廠力成,減DRAM產能加速3D IC製程
前陣子收購國內二線封測龍頭廠超豐的力成,已成為全球第5大半導體封測廠,其今(9)日召開法說,公布營運報告去年Q4營收約為97億,每股稅後盈餘...

前陣子收購國內二線封測龍頭廠超豐的力成,已成為全球第5大半導體封測廠,其今(9)日召開法說,公布營運報告去年Q4營收約為97億,每股稅後盈餘(EPS)為1.7元,2011總營收達395億,整體毛利率為23%,全年EPS達8元。

從其業務組合來看,力成目前測試業務佔比為37%,封裝業務為63%,而從產品組合來看,去年Q4的DRAM就佔了68%,Flash為30%,邏輯IC為2%。值得注意的是,董事長蔡篤恭表示,「未來會逐步降低DRAM比重,不希望再繼續擴充產能」。預計到今年Q2,DRAM就會降至50%,Flash和邏輯IC分別會拉升至30%及20%。

事實上,目前如國外一線DRAM大廠早已將標準型DRAM比重降低至50%以下,以減少標準型記憶體價格下跌的衝擊,同時並轉進毛利較高的行動式記憶體(mobile DRAM)及伺服器用記憶體,蔡篤恭說到了Q3,供需應該會達到平衡,「但現階段mobile DRAM生意仍然很好」。

另外,外界關心的3D IC先進封裝部分,蔡篤恭指出,「目前進展都非常順利,甚至未來投入這塊的研發費用會增加更多」,近期還花了5000~6000萬美金在竹科園區設立試驗工廠,明年就會有顯著的小量產出。

3D IC是把許多塊分散的DRAM像豆腐乾那樣,一層層堆疊起來,之後再和CPU黏在一起,變成在平板電腦裡只會看到一顆相當小的尺寸,適合輕巧追求速度的智慧型手機和平板電腦使用,不過這種高階封裝進入門檻極高,封測廠需使用TSV直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via)技術來使晶片或晶圓進行垂直堆疊。

 

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