在競爭愈趨激烈的物聯網世代，上游的晶圓代工廠也無法置身事外，如聯電先前就傳出與高通合力研發18奈米製程平台，而GLOBALFOUNDRIES如今也計畫以"高性價比"的22奈米平台，在競爭激烈的物聯網市場走出另一條道路。
半導體電晶體製造技術正面臨由平面轉向3D結構的關鍵，鰭式場效電晶體（FinFET）製程更是晶圓廠比拼的重點。在台積電、英特爾（Intel）、三星（Samsung）、聯電等晶圓廠戮力競逐14／16奈米FinFET戰場之時，晶圓代工廠GLOBALFOUNDRIES則宣布推出新的22奈米22FDXTM平台。
GLOBALFOUNDRIES官方指出，22FDXTM平台效能將媲美FinFET，但成本則趨近於28奈米平面式（Planar）技術，讓不斷推陳出新的主流行動、物聯網、RF連結及網路市場有了新的解決方案，以滿足下一代連網裝置超低功耗的需求。
GLOBALFOUNDRIES指出，雖然有些應用會要求到3D FinFET電晶體最頂級性能，但多數的無線裝置需要的是性能、功耗和成本之間的最佳綜合考量。
GLOBALFOUNDRIES運用率先業界推出的22奈米2D全空乏絕緣覆矽技術（FD-SOI, Fully Depleted Silicon-on-Insular），22FDX提供了成本敏感應用最佳的選擇途徑。憑藉業界最低0.4伏特的運作電壓，達到超低動態功耗、更低熱效應，以及更精巧的最終產品尺寸規格。相較於28奈米，22FDX晶粒尺寸縮減20％，光罩數目減少10％。
GLOBALFOUNDRIES營運長Sanjay Jha表示：「22FDX平台讓客戶善用最佳的功耗、性能和成本之綜合表現，推出有別於市場的產品。22FDX率先推出即時系統軟體可控制電晶體特性，系統設計師能夠動態平衡功率、性能和漏電。此外，對於RF和類比整合來說，這個平台提供了最佳的調整彈性同時具備最高的能源效率。」
此外，GLOBALFOUNDRIES與研發團隊和業界龍頭合作，共建穩健生態系統，不但加速產品上市時間並且提供22FDX系列各產品，包括意法半導體（STMicroelectronics）、飛思卡爾（Freescale）、安謀國際（ARM）、Imagination Technologies等晶片商與矽智財（IP）供應商。2016下半年將開始提供設計初始套件和初版製程設計套件，以及進行風險生產。
