當筆電充電時，占了桌邊一部分空間的變壓器，是不少人的困擾。英飛凌推出的電源解決方案CoolGaN 600 V增強型HEMT和氮化鎵驅動IC EiceDRIVER，以氮化鎵（GaN）取代原本的矽材，由於具備體積小、高功率的特性，不僅解放了空間，未來將廣泛運用在伺服器、通信、無線充電等領域。
該技術11月於慕尼黑電子展亮相，12月進入量產。而英飛凌是市場上唯一提供矽（Si）、碳化矽（Sic）、氮化鎵（GaN）等全系列功率產品的供應商。
耐高壓高溫，氮化鎵省下雙北10.7%用電
英飛凌預估，氮化鎵研發技術已經趨於成熟，跟矽材相比，若全數換用，可幫全美資料中心省下38.5億千瓦小時，相當於台北市與新北市年用電量的10.7%，省下的電力換算碳排放量相當於315.7萬噸，不僅能省下研發費用，還能兼顧環保，在功率半導體中可說是後起之秀。
5G商業化與汽車走向智慧化的趨勢，帶動第三代半導體材料——碳化矽與氮化鎵的發展。拓墣產業研究院指出，相較目前主流的矽晶圓，碳化矽及氮化鎵除了耐高電壓的特色外，也適合在高頻的環境下操作。
英飛凌指出，氮化鎵積體電路的開關速度快，且又耐高溫，不僅可使晶片面積大幅減少，並能簡化周邊電路的設計，以及減少冷卻系統的體積，使開發材料成本大幅降低。
英飛凌大中華區資深行銷經理陳清源表示，雖然目前氮化鎵的價格比矽還高，但因矽不耐高壓高頻，若要升級勢必得再增加周邊元件，他預估：「以三、五年來看，整體成本不見得比氮化鎵便宜。」而目前CoolGaN產品採用六吋晶圓製程，未來將往八吋邁進，成本亦可望降低。
氮化鎵商機破10億美元，各大廠競逐
根據2018年4月由HIS Market, Technology Grouop 所公布的調查指出，未來10年氮化鎵產品的商機，將超過10億美元，為了不讓功率半導體龍頭英飛凌專美於前，其他廠商也加入戰局。
今年8月，氮化鎵功率元件廠GaN Systems Inc.與功率半導體廠Rohm合作，加速開發新一代功率元件；美國麻省理工學院、德州儀器、韓國三星、日本東芝、日本松下也都在積極研發，2017年東芝甚至還公開氮化鎵的製程，展現其技術。
