在晶圓代工龍頭台積電和世界先進相繼發布進軍第3類半導體後，各界紛紛好奇晶圓代工二哥聯電在第3類半導體的布局策略。終於，在昨日化合物半導體特展「SEMI Talks領袖對談」的活動中，聯電協理鄭子銘透露最新進展。
鄭子銘指出，聯電早已開始布局第3類半導體，並且與比利時微電子研究中心（IMEC）進行技術研發合作，現正積極將相關技術朝平台化發展，為IC設計業者提供標準化的技術平台。
氮化鎵技術平台明年就緒，朝Design in邁進！
針對這項技術平台的建立，聯電將會以提供功率、射頻元件方案為主，初期會以氮化鎵（GaN）技術先行，待其技術發展成熟後，下一步才會朝碳化矽（SiC）開始布局。
鄭子銘透露，目前氮化鎵技術平台建置已逐漸成形，預期2022年將進入Design in（產品設計入客戶解決方案中）階段，取得客戶開發新品入場卷。率先提供的解決方案將以矽基氮化鎵（GaN on Si）為主，朝消費性功率元件代工切入，提供6吋晶圓方案。
對比同樣也是提供氮化鎵方案的晶圓代工業者，台積電的六吋矽基氮化鎵已經量產（傳聞台積電已具備八吋量產能力），為納微（Navitas）代工生產氮化鎵功率元件，主要用於消費型應用產品；而聯電則是採取Qromis研發的特殊基板QST開發氮化鎵技術，預期2022年將提供8吋GaN on QST方案，主攻650～1,200V的功率範圍，提供高鐵、電動車等高功率應用。
當被問及聯電氮化鎵八吋晶圓的進展，鄭子銘表示，目前還在研究當中，短時間不會有相關方案。他提到，一直以來業界對於八吋晶圓強烈追求，因為一片晶圓可以切出的裸晶（Die）數量多出六吋許多，進而成本也會與之下降，但苦於技術尚未到位，以至於八吋晶圓業者很少。
不過世界先進在矽製程時期，就對八吋晶圓的代工有長時間的涉略，2022年直接從八吋氮化鎵產品切入，其實有跡可循。鄭子銘談到，以客戶的角度來看，下一步關注的重點會在「良率」，未來在產品量產後，良率是否能滿足客戶需求才是最重要的。
碳化矽基板卡關國際大廠，投入時程後延
碳化矽基氮化鎵（GaN on SiC）則預期未來將運用於射頻元件相關領域，作為5G通訊的關鍵元件，不過受限於碳化矽基板取得不易，較多掌握在國際大廠手中，如Wolfspeed、羅姆半導體（ROHM）和貳陸（II-IV）等，因此這一塊領域的布局會稍晚進行。
除了在第3類半導體晶圓代工外，鄭子銘透露，聯電也有自行研發氮化鎵磊晶技術。
至於封測端，是否由今年九月宣布交換持股的頎邦執行，他則語帶保留表示，會與頎邦多交流，目前還有許多可行的空間，未來不排除有多家封測廠合作的機會。
責任編輯：錢玉紘
