三星（Samsung）宣布3奈米GAA技術量產，產業專家表示，全球GAA生態系統尚未完全到位，三星3奈米GAA技術量產是「趕鴨子上架」，目前應僅自用，並無外部客戶。
三星積極爭搶晶圓代工市場版圖，為彎道超車勁敵台積電，決定在3奈米搶先採用環繞閘極（GAA）架構，並趕在台積電3奈米下半年量產前，於上半年的最後一天宣布3奈米GAA技術量產。台積電對此並無評論。
韓國半導體分析師Greg Roh日前受訪正面看待三星3奈米製程進展，表示三星3奈米製程良率提升速度遠高於市場預期，新增客戶速度相當快。
韓國媒體報導，中國大陸挖礦機晶片設計業者上海磐矽半導體是三星3奈米製程的客戶，此外，美國晶片廠高通（Qualcomm）也已下訂三星3奈米產能，但將視情況投片。
工研院產科國際所研究總監楊瑞臨持不同看法，他指出，艾司摩爾（ASML）為比利時微電子研究中心（Imec）生產的首台高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影曝光設備，預計2023年完成並用於研發，推測三星3奈米GAA技術量產並非採用high-NA EUV微影曝光設備。
此外，GAA相關的蝕刻及量測問題尚待克服，材料、化學品等也需要提升，楊瑞臨說，全球GAA生態系統還未完全到位，三星3奈米GAA技術此時量產是「趕鴨子上架」。
楊瑞臨表示，三星採用市場現有方案，不是做不到3奈米GAA技術量產，關鍵是成本會增加、交期會拉長、良率提升速度慢、品質不見得好。在成本模型難以建立的情況下，三星難以對客戶報價，預料三星的3奈米GAA技術應僅自用，不會有外部的客戶。
台經院產經資料庫研究員暨總監劉佩真也說，三星仍未實際接獲3奈米訂單，今天宣布量產3奈米製程，宣傳意義應大於實質意義。
國內法人指出，三星向來慣用低價策略吸引客戶，報價便宜或許可能爭取上海磐矽半導體訂單，不過散熱問題是三星的痛點，高通訂單就因此回流台積電；三星3奈米GAA製程能否解決漏電、散熱問題有待觀察。
楊瑞臨認為台積電先進製程發展時程相對合理且循序漸進，台積電3奈米今年下半年量產，搭配創新的FINFLEX架構，提供晶片設計人員多樣化選擇，包括支援超高效能、最佳功耗效率與電晶體密度及平衡兩者的高效效能。
台積電研究發展資深副總經理米玉傑日前在北美技術論壇中表示，台積電將於2024年取得high-NA EUV曝光設備，因應客戶推動創新的需求。
楊瑞臨說，屆時GAA技術相關生態系統將趨於完備，符合台積電採用奈米片電晶體架構的2奈米製程於2025年開始量產時程規劃，預期台積電在先進製程技術上仍將維持領先地位。
劉佩真表示，台積電3奈米製程已掌握蘋果（Apple）、英特爾（Intel）及其他重量級客戶訂單，顯然客戶對台積電的3奈米製程良率、量產穩定度及產量皆較有信心，相信台積電在先進製程將持續領先全球。
本文授權轉載自：中央社
責任編輯：傅珮晴、侯品如
