記憶體大廠美光(Micron)於6日正式啟用台中四廠,除了整合先進封裝測試,未來也會領先全球量產AI所需要的高頻記憶體HBM3E。美光總裁暨執行長梅洛特拉(Sanjay Mehrotra)指出,AI的應用讓記憶體內的數據量更大,記憶體將會比過去更為重要,而台灣也在其中扮演重要角色。
HBM是什麼?
HBM指的是將DRAM像積木一樣層層堆疊,再透過先進封裝的方式包起來,使其密度增加、但體積維持不變甚至更小,以此達到更好的儲存效果。美光的技術是將好幾片片晶圓做堆疊,利用金屬圓球(ubump)和每一層矽穿孔內的銅導物質來做連接,就像漢堡上的牙籤,把矽晶圓一層一層地叉住,最後再做封裝。
其中,矽穿孔約為紅血球的一半大,金屬圓球也相當於白血球大小。而美光已可做到8層DRAM堆疊的高頻寬HBM,厚度僅為人類頭髮的一半,頻寬可達24GB。在AI和機器學習(ML)的帶動下,美光預期至2025年HBM年複合成長率將成長50%。
HBM有可能將美光推至龍頭地位!輝達驗證中,2024第一季量產
台灣則是美光HBM3E產品的首發量產地,預期2024年Q1就會量產,但還不確定何時出貨。法人指出,當前美光的HBM3E正在接受輝達(NVIDIA)的驗證。
美光副總裁暨先進封裝主管辛赫(Akshay Singh)指出,他認為HBM會將美光推至記憶體的龍頭地位,不過當前輝達AI晶片中的HBM絕大部分是由對手SK海力士(SK Hynix)提供,辛赫也對此提出為何美光深具信心的三個原因。
首先,美光HBM3E是由1-beta製程技術製造,為領先三星和SK海力士的最先進製程;其次,辛赫表示美光在先進封裝上居於領導地位,「我們有最先進的TSV穿孔技術,也有緊密的互聯技術。」第三,美光的矽穿孔的穿孔間距是最小的,有助於散熱,「我們認為這可以讓產品有更好的表現。」
就待HBM放量!美光不排除未來人事擴增
美光技術開發事業部資深副總裁陳德拉斯卡蘭(Naga Chandrasekaran)表示,HBM主要是在美國設計研發,日本廣島進行矽晶片的研發然後台灣則著重於後段3D封裝部分。陳德拉斯卡蘭表示,這樣的做法主要是為善用全球人才。
針對美光台灣人才是否恢復招募,台灣美光董事長盧東暉表示,今年3月開始就已經沒有進一步的裁員計劃,當年庫存調整週期也已進入尾聲,正逐漸恢復當中。盧東暉亦表示,未來隨著HBM產能擴充,會再考慮擴充。
責任編輯:林美欣