三星電子(Samsung Electronics Co.)最近在記憶體部門成立高頻寬記憶體(HBM)團隊，希望能在開發第六代AI記憶體HBM4及AI加速器Mach-1之際提升良率。
《韓國經濟日報》29日引述業界消息報導，三星的HBM小組主要負責DRAM、NAND型快閃記憶體的研發與銷售。三星執行副總裁兼DRAM產品與科技長Hwang Sang-joon將負責帶領新團隊。這是三星1月啟動HBM任務團隊以來，第二個聚焦HBM的小組。
三星正在加大力道，盼能超越在先進HBM領域拔得頭籌的SK海力士(SK Hynix Inc.)。 三星2019年因錯誤判定市場不會顯著成長，解散了當時的HBM小組。
為了爭奪AI晶片市場的領先地位，三星將追求「雙軌」策略，同時開發兩種尖端記憶體晶片：HBM和Mach-1。
三星計畫今(2024)年下半量產HBM3E、2025年投產下一代HBM4。HBM3E是表現最佳的AI用DRAM，也是第五代DRAM記憶體，之前幾個世代為HBM、HBM2、HBM2E及HMB3。
三星也準備研發次世代用於AI推論的加速「Mach-2」。Kyung 29日指出，三星必須加快研發Mach-2，因為客戶對此展現濃厚興趣。
三星：今年的HBM產能將擴增三倍
Hwang甫於3月26日在加州聖荷西(San Jose)舉行的《Memcon 2024》會議表示，預測今年三星的HBM產能有望年增2.9倍。這高於三星稍早於2024年拉斯維加斯消費電子展(CES 2024)預測的2.4倍。
三星並在會議上發表HMB技術路線圖，預測2026年HBM出貨量將比2023年高13.8倍，2028年HBM年產出將進一步比2023年多23.1倍。
三星最新HBM3E 12H晶片已開始送樣，預計今年上半就可量產。
三星半導體事業部門負責人桂顯(Kyung Kye-hyun)最近才剛表示，正在開發的Mach-1已跟Naver Corp.敲定協議、預計今年底開始供應，合約金額上看1兆韓圜(7.52億美元)。Naver希望藉由跟三星的供應協議，大幅降低對輝達(Nvidia Corp.)的依賴。
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責任編輯：錢玉紘
