長鑫4F²技術突破,DRAM單元縮小1/3,南亞科會被搶單?威剛反而有機會?8檔記憶體股一次看
長鑫4F²技術突破,DRAM單元縮小1/3,南亞科會被搶單?威剛反而有機會?8檔記憶體股一次看

中國記憶體大廠長鑫存儲(CXMT)宣布DRAM技術取得新進展,預計2026年底推出採用「4F²」架構的伺服器用DDR5記憶體模組(RDIMM),市場也關注,台灣記憶體廠包括南亞科(2408)、華邦電(2344)等是否會受到衝擊?

本文目錄

4F²是什麼?為何能讓DRAM記憶體單元縮小三分之一?

4F²是DRAM記憶體單元的一種新架構,最大的特色是能在相同面積內,放進更多記憶體單元。

DRAM晶片由大量記憶體單元組成,每個單元負責儲存1個位元(bit)的資料。其中,F代表製程的最小特徵尺寸,F²則用來表示單元面積。

目前業界主流採用6F²架構,4F²則進一步縮小至4個F²。在相同製程特徵尺寸下,單元面積減少約三分之一,同樣大小的記憶體陣列,理論上就能容納約1.5倍的單元數量。

DRAM架構 單元尺寸 同面積可容納單元數(6F²為1) 技術特色
8F² 4F×2F 約0.75倍 早期DRAM架構
6F² 3F×2F 1倍 目前主流架構
4F² 2F×2F 約1.5倍 採垂直電晶體等新設計,提高儲存密度

不過,單元面積愈小,電晶體設計與製程整合就愈困難。

長鑫採用自家研發的「垂直環繞閘極」(VSG)電晶體,將電晶體通道改為垂直排列,並搭配晶圓級混合鍵合(Hybrid Bonding)技術,讓記憶體單元與周邊電路分別製作、再進行整合。

如果能順利量產,同一片晶圓就有機會產出更多儲存容量,進一步降低單位成本。但晶片還有周邊電路,製程成本與良率也會影響實際效益,因此單元縮小三分之一,不代表整顆晶片的成本就能降低三分之一。

長鑫4F²會搶走南亞科、華邦電的生意嗎?

長鑫這次瞄準的是伺服器DDR5市場,直接競爭對手是三星、SK海力士、美光三大記憶體原廠。至於南亞科、華邦電,兩家目前仍以DDR4及利基型記憶體為主,短期直接影響相對有限。

根據大和資本研究報告,南亞科2026年第三季營收中,DDR4占比超過6成,DDR5則占1成多。

南亞科總經理李培瑛在10月12日法說會表示,目前DDR4客戶需求仍相當強勁。雖然公司有能力將DDR5比重從約1成提高至4成,但現階段沒有大幅調整產品組合的必要。

南亞科第三季自結營收達1,336.49億元,單季每股盈餘(EPS)25.40元,反映記憶體漲價帶來的獲利成長。現階段DDR4需求仍強,長鑫新技術也尚未對市場供給產生實質影響。

華邦電則以利基型DRAM及快閃記憶體為主,產品涵蓋DDR3、DDR4、LPDDR4,以及NOR、NAND Flash等。

華邦電今年5月法說會指出,高雄廠未來導入16奈米製程後,不會進入標準型DDR5市場,而是優先生產LPDDR5及DDR4。

因此,長鑫即將推出的伺服器DDR5,暫時不會直接取代華邦電的主要產品。

此外,DDR5與DDR3、DDR4存在規格差異,無法直接替代舊世代產品。即使長鑫未來大量生產DDR5,也不代表DDR4市場會立即受到同等程度的價格壓力。

至於4F²技術,南亞科、華邦電目前都未公開相關產品的商業化時程。南亞科現階段持續推進10奈米級第三代(1C)、第四代(1D)與第五代(1E)製程;華邦電則以16奈米製程及客製化高頻寬記憶體CUBE為發展重點。

不只南亞科、華邦電!8檔台灣記憶體概念股誰受影響?

台灣記憶體產業鏈涵蓋DRAM原廠、晶圓代工、IC設計及記憶體模組廠,長鑫新技術帶來的影響也有所不同。

南亞科、華邦電、力積電(6770)屬於記憶體製造相關業者;晶豪科(3006)以記憶體IC設計為主;威剛(3260)、創見(2451)、十銓(4967)、宇瞻(8271)則主要向原廠採購記憶體顆粒,再製成模組或儲存產品。

台灣記憶體概念股與長鑫4F²的關聯

公司 主要業務 長鑫4F²可能帶來的影響
南亞科(2408) 標準型DRAM,DDR4占營收大宗 目前DDR5占比約1成,短期直接衝擊有限;若未來提高DDR5比重,競爭可能增加
華邦電(2344) 利基型DRAM、快閃記憶體 主力為成熟製程與特殊規格產品,與長鑫此次伺服器DDR5定位不同
力積電(6770) 記憶體、晶圓代工 目前以成熟製程相關業務為主,後續仍須觀察DRAM整體供需及價格
晶豪科(3006) 記憶體IC設計 以利基型記憶體為主,直接競爭有限,但可能受到整體市場報價變動影響
威剛(3260) 記憶體模組、儲存產品 若未來DRAM供給增加、採購成本下降,可能增加進貨選擇
創見(2451) 記憶體模組、儲存產品 影響主要來自原料價格、供貨來源及客戶需求變化
十銓(4967) 記憶體模組、儲存產品 若DDR5市場競爭加劇,採購成本與產品售價可能同步調整
宇瞻(8271) 記憶體模組、儲存產品 須觀察記憶體報價及工控、企業等應用市場需求

資料來源:各公司公開資料、法說會及產業報導;影響分析依現有產品定位整理。

事實上,對模組廠來說,長鑫增加供給不一定全是壞消息。

記憶體顆粒是模組廠的重要採購成本。如果未來DDR5供給增加、價格下降,模組廠可能取得更便宜的原料,或增加供應商選擇。

不過,產品售價也可能跟著下滑,對獲利的影響仍取決於庫存成本、採購時點及客戶需求。目前長鑫4F²產品尚未上市,模組廠是否採用也沒有明確答案。

長鑫、三星、SK海力士、美光4F²進度比一比

4F²並非長鑫獨有的技術。三星、SK海力士都已公開相關研究成果,只是截至2026年10月,國際主要記憶體廠尚未正式大規模商業化4F²架構。

長鑫這次最受關注的地方,在於率先提出2026年底推出產品的明確目標。

長鑫、三星、SK海力士、美光4F²進度比較

廠商 已公開的技術進展 量產時程
長鑫存儲 宣布4F²架構取得關鍵進展,預計推出採用VSG及混合鍵合技術的DDR5 RDIMM 預計2026年底推出產品,尚未公布量產時程
三星 ISSCC 2026發表16Gb、10奈米級4F²測試晶片,採垂直通道電晶體及混合鍵合技術 曾傳2028年量產,目前沒有確定時程
SK海力士 在VLSI 2025、2026公開4F²垂直閘極相關技術研究 尚未公布明確商業量產時程
美光 尚未公開明確的4F²產品規劃 不明

資料來源:各公司公開資訊、ISSCC、VLSI技術發表及產業報導。

長鑫雖然喊出年底推出產品,但目前尚未公布完整規格、量產良率、客戶及正式出貨時程。能否穩定量產,仍是技術能否轉化為市場競爭力的關鍵。

根據TrendForce統計,長鑫2026年第二季全球DRAM營收市占率已達9.5%,排名第四。相較於尚未商業化的4F²,長鑫目前在DDR4等既有產品的供給與擴產,對台灣記憶體廠的影響更直接。

至於4F²,若長鑫未來順利量產、擴大DDR5供給,才可能進一步牽動市場價格。對南亞科、華邦電而言,短期仍須留意現有產品的供需變化;長期則要觀察長鑫新技術的量產進度,以及台廠自身的產品轉型與產能布局。

延伸閱讀

資料來源:TrendForce|長鑫4F² DRAM架構取得進展、南亞科2026年第三季自結財報、SK海力士4F² DRAM技術研究

本文初稿為AI編撰,整理.編輯/林育萱

關鍵字: #記憶體
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