IBM、EPFL合作研發半導體新材料,剷除耗電元兇

2010.10.28 by
戴佳慧
IBM、EPFL合作研發半導體新材料,剷除耗電元兇
IBM今天宣布一項歐盟贊助的研究專案,將研發新的半導體材料,來取代今日普遍使用的耗電金屬氧化物電晶體。IBM將與活躍國際學術界的洛桑聯邦理工...

IBM今天宣布一項歐盟贊助的研究專案,將研發新的半導體材料,來取代今日普遍使用的耗電金屬氧化物電晶體。IBM將與活躍國際學術界的洛桑聯邦理工學院EPFL合作,讓電子產品不僅在使用時提高十倍能源效率,在待機狀態之下耗電量也趨近於零。

現今利用金屬氧化物電晶體MOSFET製造的大多數電子產品,一旦插上插頭就像是關不緊的水龍頭,即使關機或待機中也會不斷消耗電力。IBM引用歐盟的報告指出,將近有10%的住家和辦公室電量,都是浪費在電子產品的待機狀態;預計在2020年之前,全球每年消耗在這些關機或待機狀態電子產品的總電量,將達到49萬億瓦小時(terawatt)之多。

IBM、EPFL將帶領其他歐洲業者和研究單位,研究如何以矽、鍺化矽和三五族元素奈米線,製造出用電效率較高的穿隧式場效電晶體TFET,減少不必要的電力消耗。這項計畫獲得歐盟研究架構FP7的贊助,已於今年稍早正式展開,預計將在三年之內提出研究成果。

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