IBM今天宣布一項歐盟贊助的研究專案，將研發新的半導體材料，來取代今日普遍使用的耗電金屬氧化物電晶體。IBM將與活躍國際學術界的洛桑聯邦理工學院EPFL合作，讓電子產品不僅在使用時提高十倍能源效率，在待機狀態之下耗電量也趨近於零。
現今利用金屬氧化物電晶體MOSFET製造的大多數電子產品，一旦插上插頭就像是關不緊的水龍頭，即使關機或待機中也會不斷消耗電力。IBM引用歐盟的報告指出，將近有10%的住家和辦公室電量，都是浪費在電子產品的待機狀態；預計在2020年之前，全球每年消耗在這些關機或待機狀態電子產品的總電量，將達到49萬億瓦小時（terawatt）之多。
IBM、EPFL將帶領其他歐洲業者和研究單位，研究如何以矽、鍺化矽和三五族元素奈米線，製造出用電效率較高的穿隧式場效電晶體TFET，減少不必要的電力消耗。這項計畫獲得歐盟研究架構FP7的贊助，已於今年稍早正式展開，預計將在三年之內提出研究成果。
