全球第三大晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries）近日宣布一項新技術---3D晶片堆疊，主要應用範圍為新一代的行動與消費性產品。
其位於紐約薩拉托加郡的晶圓八廠已安裝一套特殊生產工具，可在半導體晶圓上建立矽穿孔（TSV）技術，在新的20奈米製程上允許多個晶片像堆積木一片片垂直堆疊。
簡單來講，TSV是在半導體材料--矽，以蝕刻方式垂直鑽孔再以銅填滿，使垂直堆疊的整合式電路間得以進行通訊。例如，電路設計師可將記憶體晶片的堆疊放置在應用程式處理器之上，大幅提升記憶體頻寬及降低耗電量，而這也是時下行動裝置，智慧型手機及平板電腦在開發時所面臨到的最大難題。
這種3D整合式的電路堆疊，因為同時也需要引進新的封裝技術，使得這麼多個晶片封裝後的相互作用及複雜性也大幅提升。格羅方德技術長Gregg Bartlett表示，「為了協助解決這些新挑戰，我們結合整個半導體生態系統中的設計至組裝測試公司，與客戶建立共同開發與製造的合夥關係。」
據了解，格羅方德的新晶圓8廠是美國最大的半導體代工廠，該廠聚焦於32/28奈米及以下的先進製程，而20奈米的技術開發也正在順利進行中。