晶圓代工格羅方德展新技術,3D晶片堆疊攻行動與平板應用

2012.04.30 by
劉建宏
全球第三大晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries)近日宣布一項新技術---3D晶片堆疊,主要應用範圍為新一代的行動與消費性產品。...

全球第三大晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries)近日宣布一項新技術---3D晶片堆疊,主要應用範圍為新一代的行動與消費性產品。

其位於紐約薩拉托加郡的晶圓八廠已安裝一套特殊生產工具,可在半導體晶圓上建立矽穿孔(TSV)技術,在新的20奈米製程上允許多個晶片像堆積木一片片垂直堆疊。

簡單來講,TSV是在半導體材料--矽,以蝕刻方式垂直鑽孔再以銅填滿,使垂直堆疊的整合式電路間得以進行通訊。例如,電路設計師可將記憶體晶片的堆疊放置在應用程式處理器之上,大幅提升記憶體頻寬及降低耗電量,而這也是時下行動裝置,智慧型手機及平板電腦在開發時所面臨到的最大難題。

這種3D整合式的電路堆疊,因為同時也需要引進新的封裝技術,使得這麼多個晶片封裝後的相互作用及複雜性也大幅提升。格羅方德技術長Gregg Bartlett表示,「為了協助解決這些新挑戰,我們結合整個半導體生態系統中的設計至組裝測試公司,與客戶建立共同開發與製造的合夥關係。」

據了解,格羅方德的新晶圓8廠是美國最大的半導體代工廠,該廠聚焦於32/28奈米及以下的先進製程,而20奈米的技術開發也正在順利進行中。

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