華亞用技術傲視DRAM業
華亞用技術傲視DRAM業
2005.06.01 | 科技

這是一場不能隨意喊停的競賽。「每座廠的投資都那麼大,員工也那麼多,進入和退出的障礙都很高。」投入DRAM產業十多年的華亞科技總經理高啟全說,「所以就必須想辦法讓自己比對手多一口氣。」
有人在最看壞的時刻,選擇大膽擴廠,例如力晶,但也有人選擇透過更緊密的伙伴關係,確保競爭力——南亞與英飛凌合資成立的華亞,就是這個策略下的產物。兩家作法雖然不同,但結果是一樣的:在去年景氣好轉時,兩家都大賺一筆。

**最賺錢,實力直逼台積電

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二○○二年才成立的華亞,相對於華邦、茂矽、茂德,絕對是不折不扣的新兵。四月底公布的第一季財報,單季營收雖僅四十九億新台幣,但是每股盈餘卻是高達○.七一元,這個跌破分析師眼鏡的數字,硬是將力晶單季每股盈餘的○.五二元給比了下去,登上台灣最賺錢DRAM廠的寶座。
在今年第一季法人說明會上,高啟全更是刻意拿出資本額比華亞大上十倍的台積電做比較,「各位要注意,我們的每股盈餘,幾乎就要追上台積電的○.七二元。」這個「越級挑戰」的舉動,除欲突顯華亞的實力與晶圓代工巨人相當外,他更想透露出的是,華亞紮實的戰力,其他對手已遠遠不及。
位在林口華亞工業區的華亞科技,總部大樓由復古的馬賽克拼貼與海波狀的線條所組成,其繽紛的色彩,立刻顯示出與位在隔棟、也是華亞另一個大股東的南亞科技不同。「我們不僅有量產能力,更有技術能力!」高啟全指出。
二○○○年開始,全球半導體業經過三年低潮,光是當時台灣的六家DRAM廠商,總計就虧損了新台幣四百億元以上,日本DRAM廠也在這一次洗牌中宣告出局。
有人出局,就有人竄起。二○○二年,正值記憶體世代交替之時,由南亞科技與威盛共同主推的DDR(雙倍資料速率)記憶體 規格,挾價格優勢,打敗由英特爾(Intel)領軍、來勢洶洶的Rambus規格,在當年搶得全球三分之一的市場,讓南亞科一年淨賺新台幣一百億元,也在全球DRAM市場打響名號。

**壓成本,量產技術最關鍵

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面子與裡子都賺到的南亞科,頓時成為那些有技術、但口袋不深的廠商,前來尋求分擔研發與建廠費用的最佳對象。當時正與茂矽鬧分家的英飛凌,便是因為這個原因,主動找上南亞科技,盤算手上握有的籌碼後,南亞科決定提出一份前所未見的對等合約,共同投資(Joint Venture)成立華亞科技。
在這樁總投資金額為新台幣八二○億元的合資案中,南亞科與英飛凌各自持有四六%股權的生產基地,而華亞生產出來的DRAM顆粒,則是平均回銷給兩家母廠,兩家母廠再分銷給各自的客戶。
南亞科技總經理連日昌就說,整套DRAM製程從研發、設計到大量生產,當中花費最大的部分,在於將母廠技轉過來的「藥方」(prescription),也就是大量生產DRAM顆粒的技術,這部分便占製造總成本的八○%。
過去,台灣DRAM廠因為缺乏自有技術,所以必須用產能換取技術,例如早期的華邦與東芝(Toshiba)、茂矽與英飛凌、力晶與三菱(Mitsubishi)、以及南亞科與OKI、IBM等。過去幾年來,台灣DRAM廠商會經營得這麼辛苦,就是因為建廠資金必須自己籌措,出錢又出力,但卻只能當人家的代工廠。

**缺人才,透過合資來解決

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當代工廠不是沒有好處,至少可以快速取得營收,但以目前DRAM世代與世代的技術,量產高峰大約相差六季,就像是與時間賽跑般,一旦在這六季內沒有取得下一個世代的技術,或是母廠突然收回技術,那就代表出局,「花費幾百億元投資的晶圓廠,就只是一個空殼,」工研院經資中心產業分析師彭茂榮評論指出。
高啟全說,表面上看,DRAM產品具備高度標準化的特質,但實際上卻是「不連續的創新」的最佳代表。他指出,DRAM的生產邏輯就是要愈做愈小,所以有許多電流雜訊問題要處理,任何一個技術的改變,都會造成生產製程的變化。面板產業雖然也有世代的問題,但面板是愈做愈大的思考,技術關鍵反而是在設備商,只要買對設備,基本上生產也不會有太大問題。
「很多人都會問,台灣DRAM也走了那麼多年,為什麼發展不出自有技術?人才真的是個問題。」高啟全舉例,華亞一開始與英飛凌合作時,選派工程師去德國共同研發,結果對方平均半導體資歷都在十年以上,「我們的大約三年就上陣了。」高啟全說,會有今天這樣的局面,中間有很多複雜的原因,比如人才多集中到晶圓代工業,既然短期間內無法解決,「那我們就認清現況,找有技術的人合作。」
他指出,台灣DRAM技術本來就都是由國外大廠移轉來,但不同於過去的契約方式,華亞與英飛凌以共同投資的方式,可以確保彼此的承諾,降低不歡而散的風險。在協議中,兩家母廠將合作開發九○及七○奈米製程技術,藉由溝槽式(DRAM技術兩大陣營之一,另一個為Stack堆疊式)記憶體技術,持續開發及製造下一世代標準型DRAM顆粒,在這個模式下,雙方共同分攤每年至少高達新台幣一百億元的研發費用。

**抓景氣,降低學習曲線

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笑稱過去一年過得非常舒服的華亞總經理高啟全說,由於華亞屬於英飛凌「工廠聚落」(Fab Cluster)成員之一,因此英飛凌的DRAM製程可以直接複製,不需要克服陡峭的學習曲線。加上去年DRAM景氣是最近幾年最好的,價格居高不下,只要手上有DRAM顆粒的廠商,全部都可以賺到錢。
擁有英飛凌技術做後援的華亞,一起跑,的確就跑得比對手快。二○○三年底,華亞月產能為二.四萬片,今年底月產能目標是六萬片,這個數字,已經讓它成為全球最大的單一晶圓廠,而且是百分之百以○.一一微米製程生產製造DDRⅡ(第二代雙倍資料速率)。○.一一微米製程的晶圓成本,約在二美元左右,與上一代相較,最多減少五○%的成本,而九○奈米也即將在第三季投片試產。
「華亞能夠這麼賺錢,主要還是因為它沒有八吋廠的包袱,」拓墣產業研究所產業分析師陳冠廷點出關鍵。DDRⅡ正式接棒後,必須以○.一一微米和十二吋廠為主,才會具生產效益,因此,八吋廠將面臨提前退役的問題。當台灣同業都在處理八吋廠時,只有一座十二吋廠的華亞,就在這空檔時刻竄出。

**賭明天,繼續投資蓋廠

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但是華亞並非沒有隱憂。首先在良率方面,雖然目前DDRⅡ已經有七五%到八○%的水準,但距離一線大廠爾必達(Elpida)或英飛凌的八五%,甚至是三星的九○%,都還有一段不小的距離。另外則是在溝槽式技術上,全球目前只剩下英飛凌陣營(由英飛凌、南亞科與華亞組成)堅持採用,但這種技術在七○奈米時,量產上會出現障礙。這兩項指標 ︱︱品質與微縮,是影響華亞成本的兩大關鍵,對於身為工廠的華亞而言,如何降低成本,是它的第一要務。
高啟全表示,DRAM產業的投資哲學,就是不斷往十二吋廠前進,所以華亞的第二座十二吋廠已經動工,自有資金足夠興建硬體設備。至於採購機台的部分,雖然年底將在台灣上市,但因台股本益比低,籌資不易,因此將到海外發行DR(信託憑證),籌到足夠的資本,達到「以廠養廠」的目標。
DRAM獲利雖然不是不可能的任務,但絕對不是輕鬆的任務。藉由策略聯盟,以虛擬化集團運作的方式,華亞成立一年就獲利的成績,的確在台灣DRAM產業發展史上寫下新頁,但就如高啟全自己所言,在價格快速變動的DRAM產業裡,除了需要好運,更要有堅持的勇氣,以及冷靜判斷的眼光。

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晶片裡的「隱形守護者」!從車用、物聯網到AI人工智慧,看上峰科技如何靠I-fuse®打開新局
晶片裡的「隱形守護者」!從車用、物聯網到AI人工智慧,看上峰科技如何靠I-fuse®打開新局

在電動車的感測系統、物聯網中的無電池標籤,以及AI伺服器的高速記憶體修復技術中,都有一個極其微小、幾乎難以用肉眼辨識的元件,默默地發揮關鍵作用。它負責確保系統功能的正確運作,並保護資料的安全性。這個不起眼卻不可或缺的元件,就是「單次可燒錄記憶體」(OTP)。

想像一下,當你坐在自動駕駛的電動車裡,這台移動的智慧裝置正以每小時100公里的速度行駛。它的感測系統、電池管理與安全控制,全仰賴晶片裡的數十億個電晶體協同運作。然而在這些肉眼不可見的微觀世界中,有一個被稱為「功能保險絲」的關鍵元件,如果它的數據在出廠後因高溫或電壓變化而悄悄「跑掉」,將可能在高速行駛下可能造成無法挽回的危險 。

當晶片製程往先進節點發展,傳統OTP技術隨製程微縮而暴露出可靠度與壽命的瓶頸。過去在成熟製程表現穩定的方案,進入7奈米或更先進的製程後,讀取壽命竟從理論上的「無限次」驟降至僅能維持數秒,突顯現有技術難以因應先進製程需求,對需要長期穩定運作的車用與工業應用而言是不可承受的風險。作為矽智財供應商的上峰科技,正是專注於這項關鍵技術的代表之一,其專利OTP技術已被應用於車用電子、物聯網裝置、AI與高可靠性工業設備等多個領域,為全球客戶提供穩定且可持續的解決方案 。「我們的目標是讓OTP在先進製程中一樣可靠,甚至比以前更好。」上峰科技創辦人暨董事長莊建祥開門見山地說。

以電遷移取代爆炸,上峰科技重寫OTP的可靠性

不同於傳統電子熔絲(eFuse)依靠高電流「爆炸式」燒斷導體,或反熔絲(Anti-fuse)以高電壓擊穿氧化層,上峰科技的I-fuse®解決方案採用低於熔斷點的熱輔助電遷移機制。簡單來說,就是用較低的電流與電壓,讓金屬原子在導線內緩慢遷移並改變阻值,而不是粗暴地炸斷它。

莊建祥解釋到,不同於eFuse的「爆炸式」斷裂,I-fuse®的方式更像是一種「緩慢推動」金屬原子的遷移,過程溫和卻能精準改變阻值。因為沒有爆炸,自然就沒有金屬碎屑或自我接回的風險,編程狀態因此能長期保持穩定;而在過程中所需的電壓與電流也遠低於傳統技術,無需高壓電路與內建電荷泵,讓系統設計更簡潔、功耗更低。

他進一步談到,I-fuse®還能在讀取過程中模擬燒錄狀態,所謂的"假燒”,產生類似靜態隨機存取記憶體(Static Random-Access Memory, SRAM)的重複讀寫測試模式,對整個OTP區塊進行全面檢測,確保每一顆出廠的OTP在進入車用或其他高安全性應用之前,都已經通過完整的可靠度驗證,以達成"零缺陷”。過去十多年,I-fuse®已在多種製程節點完成驗證,包括成熟製程與高介電常數金屬閘極(High-k Metal Gate, HKMG)節點。2023年,上峰科技也曾宣布I-fuse®成功在12奈米鰭式場效電晶體(Fin Field-Effect Transistor, FinFET)製程完成矽驗證,不僅延續低成本與設計彈性的優勢,也證明即使在先進製程下,仍能以極小面積支援業界優異的低操作電壓,且無需額外光罩與電荷泵。

不過隨著製程微縮,金屬線寬與高度同步縮小,對爆炸式燒斷的OTP而言是嚴峻挑戰,卻讓 I-fuse®的電遷移機制更得心應手,莊建祥表示當線條越細,越容易在低電壓下完成燒錄,因此上峰科技有足夠的信心能直接從12奈米跨入7奈米,並規劃向3奈米、甚至環繞式閘極(Gate-all-around, GAA)與FinFET架構前進。

計畫助攻跨入7奈米,I-fuse®應用版圖持續擴張

上峰科技聚焦標準邏輯製程,I-fuse® 助力解決晶片製程轉換關鍵挑戰。
上峰科技聚焦標準邏輯製程,I-fuse® 助力解決晶片製程轉換關鍵挑戰。
圖/ 數位時代

而這次的跨越,正是因為有經濟部產業發展署推動的「驅動國內IC設計業者先進發展補助計畫」(以下簡稱晶創IC補助計畫)協助。莊建祥坦言,對規模不大的IP業者而言,先進製程開發風險高、投入成本大,如果沒有外部資源挹注,很難同時負擔研發與驗證。「晶創IC補助計畫」不僅減輕了資金壓力,更讓上峰科技能集中火力解決7奈米製程的關鍵挑戰,包括更嚴格的設計規範與更密集的繞線限制。

「只要製程允許,我們的技術就能做。」莊建祥強調,I-fuse®採用晶圓廠提供的標準邏輯製程材料,不需改變製程或額外光罩,因此對製程轉換的適應速度遠優於其他OTP技術。「別人可能要花三、四年才能適應新的製程架構,我們幾乎可以無縫切換。」

OTP雖小但其用途極廣。在車用感測器中,它是確保不同零件出廠後能進行精準校正的關鍵;在 AI 伺服器與高速運算晶片裡,它能修補記憶體陣列中損壞的位元,延長晶片壽命;在物聯網無電池的裝置中,I-fuse®以極低讀取電壓(0.4V / 1µW)就能運作,適合能量收集環境。莊建祥更明確指出,I-fuse®未來將持續鎖定Wi-Fi裝置、微控制器單元(Microcontroller Unit, MCU)等對低功耗與高可靠性有高度需求的市場,與現有的車用與工業應用形成互補布局。

在全球晶片供應鏈中,OTP 是與輸入/輸出函式庫(I/O Library)、標準單元庫、靜態隨機存取記憶體編譯器(SRAM Compiler) 並列的「四大基礎 IP」之一,幾乎每顆晶片都需要。掌握這項技術,不僅是產品設計的靈活度,更關乎先進製程的導入速度與成本控制。上峰科技的策略是在穩固現有國際客戶基礎上,藉由「晶創IC補助計畫」加速進入7奈米,並持續向更先進節點前進。透過低功耗、高可靠性的 I-fuse®,讓臺灣有機會在先進製程OTP技術上,取得與國際一線供應商並肩甚至領先的地位。

「我們希望成為各種應用場景中,最可靠、最靈活的OTP解決方案。」 莊建祥說。從成熟製程到 7 奈米,從車用到AI與IoT,這顆小小的OTP正承載著臺灣在先進製程中的另一項關鍵優勢。

|企業小檔案|
- 企業名稱:上峰科技
- 創辦人:莊建祥
- 核心技術:專注於OTP矽智財的研發
- 資本額:新台幣2億元
- 員工數:46人

|驅動國內IC設計業者先進發展補助計畫簡介|
由國科會協調經濟部及相關部會共同合作所提出「晶片驅動臺灣產業創新方案」,目標在於藉由半導體與生成式AI的結合,帶動各行各業的創新應用,並強化臺灣半導體產業的全球競爭力與韌性。在此政策框架下,經濟部產業發展署執行「驅動國內IC設計業者先進發展補助計畫」,以實質政策補助,於113年鼓勵業者往AI、高效能運算、車用或新興應用等高值化領域之「16奈米以下先進製程」或「具國際高度信任之優勢、特殊領域」布局,以避開中國大陸在成熟製程的低價競爭,並提升我國IC設計產業價值與國際競爭力。

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