南韓媒體每日經濟新聞（MK NEWS）日文版3日報導，三星電子將大幅縮減DRAM、NAND型快閃記憶體（Flash Memory）等半導體庫存。為了柔軟因應截至去（2018）年第3季為止的半導體絕佳需求，三星將半導體庫存量維持在1.5-3個月左右水準，不過自去年第4季開始，因供應過剩導致記憶體景氣大幅減速，也讓三星決議縮減庫存量。
據多位三星關係人士指出，三星目前將DRAM、NAND Flash庫存量分別維持在1.5個月（45天）、3個月（90天），不過三星內部已敲定方針，計畫將DRAM、NANA Flash庫存量大幅縮減至0.5個月。
因半導體從接單到生產需要一定的時間，因此在需求旺盛時期，為了即時因應來自顧客端的急單，讓三星增加庫存量，不過自去年第4季以來，因DRAM價格下滑、半導體市場鈍化，也讓三星轉換方針、縮減庫存量。
根據三星公告的資料顯示，去年第3季時三星的半導體庫存額為10兆4,542億韓圜。去年第3季時，三星DRAM全球市佔率達45.5%、NAND Flash為35.6%，皆高居全球首位。
根據嘉實XQ全球贏家系統報價，截至台北時間4日上午11點05分為止，三星電子重挫1.20%至37,150韓圜，稍早最低跌至36,850韓圜、創約2年來（2017年1月18日以來）盤中新低水準。
日本電子情報技術產業協會（JEITA）2018年11月27日發布新聞稿指出，世界半導體貿易統計協會（WSTS）在最新公佈的預測報告中，以美中貿易摩擦（貿易戰）、全球經濟不明因素多為由，將2019年全球半導體銷售額成長率預估值自2018年6月預估的年增4.4%下修至年增2.6%，年增幅將創3年來（2016年以來、年增1.1%）新低水準。
其中，WSTS預估2019年記憶體（Memory）銷售額將年減0.3%至1,645.43億美元，將3年來首度陷入萎縮，且遠遜於6月時預估的年增3.7%。
日經新聞2018年10月5日報導，韓國投資證券表示，全球半導體巨擘三星電子2018年半導體設備投資額約27兆韓圜、持平於2017年水準，不過2019年預估將較2018年減少約8%。韓國投資證券預估，三星2019年對NAND型快閃記憶體（Flash Memory）的投資雖將若干增加、不過對DRAM預估會減少2成以上。
日經新聞2018年10月31日報導，全球第2大NAND Flash廠商東芝記憶體（TMC）和其合作夥伴美國Western Digital（WD）計畫將雙方共同營運的四日市工廠部分製造設備導入時間進行延後。報導指出，四日市工廠內的「第6廠房（Fab 6）」已完成廠房的興建，不過原先預計在2018年內搬入的設備將延後數個月時間、於2019年春天才會進行搬入，主因智慧手機出貨量低迷、導致記憶體價格下滑，因此將放緩增產速度。
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