英特爾（Intel）執行長帕特·基辛格（Pat Gelsinger）宣布擴大旗下製程技術與封裝技術發展。除了改變製程命名方式，以對應台積電和三星的製程之外，同時也宣布將為高通代工。
Intel日前提出的10nm SuperFin製程技術後，今日宣布將以Intel 7、Intel 4、Intel 3的新命名方式稱呼，其中Intel 7將會在今年下旬投入應用，首波產品會是針對消費市場打造的Alder Lake處理器，並且在2022年量產、對應數據中心需求的Sapphire Rapids處理器。
而Intel 4將導入EUV極子光技術，預計在2022年下半年投入生產，相關應用產品則會在2023年推出，包含消費市場使用的Meteor Lake處理器，以及針對數據中心打造的Granite Rapids處理器。至於Intel 3製程技術將以改良版FinFET電晶體技術為基礎，並且提高EUV技術應用比例，最快可在2023年下半年進入量產。
接下來計畫在2024年推進的Intel 20A製程技術，將分別採用RibbonFET電晶體技術與PowerVia供電設計。其中，RibbonFET電晶體技術將以2011年提出的FinFET電晶體技術為基礎，將可在更小面積堆疊更多電晶體，搭配後端供電設計的PowerVia技術讓運作訊號能以最佳化形式傳遞。在Intel 20A之後的Intel 18A則預計會在2025年初推出，目前也已經投入開發。
此外，Intel會中更宣布與高通（Qualcomm）合作Intel 20A製程技術，由Intel以此製程技術協助高通生產全新處理器。
另外在封裝技術部分，Intel也分別提出延續Foveros Omni與Foveros Direct封裝技術，前者將延續Foveros 3D封裝技術設計，同樣藉由3D堆疊方式強化處理器核心之間連結，讓處理器設計能有更大模組化彈性，而Foveros Direct則會作為Foveros Omni互補設計，兩者都會在2023年投入應用。
此次宣布在製程技術推進，Intel預期將在未來幾年內追趕台積電、三星製程技術發展腳步，同時也配合IDM 2.0發展策略持續擴展處理器產能，此次更宣布將與高通合作處理器代工，代表接下來也會向更多處理器業者提供代工資源，藉此提升Intel在半導體推動業界發展地位。
