晶圓代工龍頭台積電揭露2奈米製程2025年開始量產的訊息之後，南韓三星為了迎頭趕上，正加碼押注3奈米環繞閘極技術（GAA）技術，將在未來三年完成建立GAA技術的3奈米晶片製程，並在2025年量產以GAA製程為基礎的2奈米晶片，屆時兩強將同步以最先進的2奈米製程搶市。
南韓媒體BusinessKorea報導，GAA是改善半導體電晶體結構的下一代製程技術，讓閘極能夠接觸電晶體的四個側面，相較於當前鰭式場效電晶體（FinFET）只能接觸電晶體三個側面的情況，GAA結構可比FinFET製程更精準控制電流。三星正押注把GAA技術應用到3奈米製程，以便追趕台積電。
報導指出，三星據傳6月初已導入3奈米GAA製程，進行試驗性量產，成為第一家運用GAA技術的公司，希望技術能達成量子級的躍進，縮短和台積電之間的差距。相較於5奈米製程，3奈米製程能提高半導體的性能提高15%，耗能效率也能改善30%，同時晶片面積減少35%。
三星上半年把GAA技術應用於3奈米製程後，計劃明年把GAA技術導入第二代3奈米晶片，並在2025年量產以GAA製程為基礎的2奈米晶片。台積電的策略則是在今年下半年以穩定的FinFET製程，進入3奈米半導體市場。
專家指出，由於台積電預料將從2奈米晶片開始導入GAA製程，約2026年推出第一款以GAA技術為基礎的2奈米晶片產品，因此若三星在以GAA技術為基礎的3奈米晶片製程良率穩定，能夠改變晶圓代工市場全局，未來三年將是三星的關鍵期。
三星最近宣布，未來五年將投資450兆韓元（約3,600億美元）到半導體等關鍵產業，但在開發3奈米製程時卻遭遇障礙。三星3奈米製程雖傳出已進行試驗性量產，卻因為低良率問題，不斷延後宣布正式量產時間。
報導說，台積電在提高3奈米製程良率時同樣遇到難關。台積電原本計劃7月起以3奈米技術，為英特爾和蘋果量產晶片，卻一直無法達到企求的良率，據傳已數次修改技術藍圖，但台積電董事長劉德音與總裁魏哲家等高層多次公開強調，3奈米今年下半年量產計畫不變。
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責任編輯：傅珮晴、吳秀樺
