為打造更美好且便捷的世界、提供消費者更好的生活與工作體驗，全球裝置與設備業者莫不積極優化其產品服務，包括提供創新的功能服務、產品越來越小、運行速度越來越快、（儲存）容量越來越大、更加節能減碳且成本更低。為助力各式應用的客戶，為智慧未來盡一份力，記憶體暨儲存產品業界領導者–美光科技（Micron Technology）–不斷挑戰極限、致力開發嶄新技術與領先市場的產品，例如，2020年領先全球量產出貨176層3D NAND，短短不到兩年的時間，再度突破極限，於2022年底獨步全球的將232層3D NAND量產出貨，應用在部分美光 Crucial品牌的固態硬碟（SSD），以更高密度、更大容量、更省電且位元成本更低的儲存方案加速產品創新變革。
更多層、更高密度、更快I/O速度，美光232層3D NAND技術引領新一波產品變革
美光的232層3D NAND是以CuA（CMOS-under-array）架構為基礎擴增容量、密度、效能以提升成本效益，具體作法是將NAND位元記憶單元陣列進行更多層堆疊，在每平方公釐的矽晶上納入更多位元，藉此提高位元密度與降低每位元成本。透過CuA架構與高層數堆疊，美光可以在最小面積的前提下提供晶片高達1兆位元（1 terabit）的超大儲存容量，因此，較前一代176層3D NAND技術的位元密度高出45%、封裝尺寸縮小28%，讓更多裝置設備可以搭載大容量且高效能的儲存方案。
不僅僅提升位元密度與儲存容量，美光亦大幅提升232層3D NAND的效能，例如，快閃記憶體介面（ONFI）傳輸速率提高到2400MT/s，較前一代技術提升50%，此外，232層3D NAND寫入與讀取頻寬亦有所提升，相較176層3D NAND技術，寫入頻寬增加100%，讀取頻寬則增加75%以上。
為確保232層3D NAND技術在容量與效能的表現，美光從研發設計與生產製造等各個層面推出多項創新作法。例如，當主流設計仍停留在以四個平面分區處理指令與資料分流之際，美光領先市場推出六平面架構的232層3D NAND，讓個別晶粒的平行處理能力提升，進而拉高了串列存取與隨機存取的讀、寫效能，讓更多讀寫命令可以同時發送至NAND裝置、也能夠減少讀寫命令之間的衝突，從而提升服務品質（QoS），概念就像高速公路設置多車道且可針對特定地區作調配以紓解車流壅塞、確保暢行無阻。
此外，增加3D NAND快閃記憶體層數也拉高了生產製程難度，裸晶圓必須歷經數百道手續加工才能夠生成晶粒或晶片，其中最大的挑戰是透過創新手法確保各個堆疊層的結構一致，為實現這個目標，美光的跨部門團隊成員以先進的蝕刻與成像技術創造高深寬比結構，爾後，運用高效替換閘製程提高零組件效能。
232層3D NAND賦能，終端、智慧邊緣與資料中心變得更智慧且創造更佳使用體驗
應用了美光232層3D NAND技術後，終端、邊緣端到資料中心的裝置設備的表現相較過往而更加躍進了一大步。以筆記型電腦為例，由於美光232層3D NAND的封裝尺寸較前幾代減少28%，輕薄型筆記型電腦商再也不用為了可攜性犧牲儲存容量，帶給消費者全新的筆電使用體驗。其次，美光232層3D NAND技術也有助於優化行動裝置的使用體驗，讓使用者可以更高速且低延遲的處理多項任務、下載或觀賞喜愛的數位內容。
在智慧邊緣端方面，採用232 層3D NAND 技術的產品可以設計得比過往更小尺寸、更高密度、更低功耗與更加快速等特點將有助於硬體業者推出更小型且省電的邊緣設備，加速車聯網、智慧運輸、智慧港口、智慧製造與智慧零售等應用的普及。最後，232層3D NAND量產亦有助於資料中心提升儲存設備的位元能源使用效率、在不斷增長的數據資料量中取得平衡，同時，符合永續營運目標：降低用電量、減少碳排與佔地等。
整體而言，美光232層3D NAND技術的問世，不僅代表美光在創新技術的持續突破，更對全球產業發展帶來巨大助益，不僅裝置設備變得更小、更快、更高效，智慧應用也得以普及化，加速智慧世代的到來。
