韓媒傳出，輝達（Nvidia Corp.）似乎故意煽動三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK hynix）彼此競爭，看看能否順勢壓低高頻寬記憶體（HBM)的價格。
BusinessKorea 2日報導，國際報告顯示，第三代「HBM3 DRAM」報價自2023年以來已飛漲超過5倍。對輝達來說，關鍵元件HBM報價上升，勢必會影響研發成本。
報導稱，謠傳輝達刻意洩漏訊息，引發現任與潛在供應商相互競爭，以期壓低HBM價格。上月25日，SK集團董事長崔泰源（Chey Tae-won）匆匆前往矽谷跟輝達執行長黃仁勳（Jensen Huang）會面，似乎跟這些策略有關。
雖然過去一個多月來，輝達一直在測試三星領先業界開發出的12層堆疊HBM3E，卻遲未表明合作意願。市場解讀，這是一種策略，目標是激勵三星電子。三星最近才剛宣布，第二季起將開始量產12層堆疊的HBM3E。
SK海力士執行長郭魯正（Kwak Noh-Jung）甫於5月2日表示，2025年的AI晶片組用HBM幾乎全數售罄，2024年的供應也已全部訂光。他當時說，12層堆疊的HBM3E將在5月送樣，預計第三季開始量產。
SK海力士已於4月宣布全新投資案，分別要在美國印第安那州投資38.7億美元建立先進晶片封裝廠、並於南韓本土投入5.3兆韓圜（38.5億美元）打造一座聚焦HBM的全新DRAM廠。
本文授權轉載自：MoneyDJ理財網
責任編輯：李先泰
