聯電加入IBM晶片聯盟,共同開發10奈米製程先進技術

2013.06.14 by
劉建宏
晶圓雙雄聯電今(14)日宣布加入IBM技術開發聯盟,共同開發10奈米CMOS製程技術。聯電表示,擁有IBM的支援與know-how,可持續提...

晶圓雙雄聯電今(14)日宣布加入IBM技術開發聯盟,共同開發10奈米CMOS製程技術。聯電表示,擁有IBM的支援與know-how,可持續提升內部自行研發的14奈米FinFET技術,針對行動運算與通訊產品,提供富競爭力的低耗電優化技術。

IBM半導體研發副總Gary Patton表示:「IBM聯盟成立至今已逾十年,聯盟夥伴可整合運用我們的專業知識,團隊研究合作與創新的技術研發,藉此滿足對先進半導體應用產品與日俱增的需求,而聯電的加入,將使聯盟的實力更加強大。」

聯電執行長顏博文指出,IBM擁有領先的半導體技術領,聯電選擇與IBM密切合作,將借重其深厚的技術專業來縮短聯電在10奈米與FinFET的研發週期。

接下來聯電將指派工程團隊加入位於美國紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10奈米研發計畫,而14奈米FinFET與10奈米未來的製造,則將於聯電位在台灣南科的研發中心進行。

除此之外,聯電近日也宣布為了就近服務當地客戶,另成立韓國業務辦公室,目前聯電與韓國的IC設計公司,包括在電源管理、顯示器驅動、觸控面板晶片,與尖端製程上皆有相當密切的合作。

每日精選科技圈重要消息