據《金融時報》報導指出，華為為了對抗美國日益嚴厲的制裁，該公司正在尋求新的戰略，消息人士指出其計畫在上海成立一家不使用美國技術的晶片工廠。
消息人士表示新的工廠預計將首先生產低階45nm晶片。報導指稱華為的目標是到2021年底為「物聯網」產品生產28nm晶片，到2022年底為5G電信設備生產20nm晶片。
美國投資銀行Bernstein半導體分析師表示，儘管華為製造5G設備晶片最理想的情況是採用14nm或更先進的工藝技術，但使用28nm也是在可接受的範圍內。而華為這個目標將有機會彌補在硬體和系統方面的不足。
但另一位不具名的半導體業高階主管指出，華為計畫中的新生產線將不會對其智慧手機業務有所助益，因為智慧手機所需的晶片組需要使用更先進的技術生產。儘管如此，業內專家表示，該專案可以説是為沒有晶片製造經驗的華為訂定長期的生存之道。
華為受到美國制裁之下，各類產品線大受打擊，連帶拖累記憶體市場，根據市場研究公司DRAM Exchange上個月30日的統計，截至10月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價格為2.85美元（約82元台幣），與9月份的交易價格相比下降8.9%。
據市場研究公司TrendForce預測，PC DRAM的供應過剩情況將一直持續到年底。此外，預計在美國對華為實施制裁後，PC DRAM（ASP）的平均售價將在今年第四季下滑10%。
今年第三季，也就是華為在被制裁之前已進行了大筆採購以累積庫存，該行為變相拉動庫存流出而延緩跌價的時間點。
責任編輯：文潔琳
本文授權轉載自：[鉅亨網]