陶氏化學推新一代CMP銅製程,助提昇半導體製程良率

2011.09.08 by
劉建宏
陶氏化學推新一代CMP銅製程,助提昇半導體製程良率
全美第一,全球第二大之化學公司陶氏化學旗下電子材料今(8)日在國際半導體展發表最新無研磨粒化學機械研磨(Chemical mechanica...

全美第一,全球第二大之化學公司陶氏化學旗下電子材料今(8)日在國際半導體展發表最新無研磨粒化學機械研磨(Chemical mechanical polishing,CMP)銅製程,該技術結合RL3100無研磨粒及VisionPad 500研磨墊能有效用來提高晶圓製程時的良率。陶氏大中華暨東南亞區總經理陳嘉平表示,隨著半導體元件體積愈做愈小,除了製程進步、技術門檻提高外,同時企業也要設法降低成本,提高良率。

事實上,化學機械研磨是應用在半導體晶圓的平坦化製程之一,在研磨晶片時,須將晶片置於研磨墊(Pad)上,配合研磨液中的化學物品才能移除晶圓表面上的雜質。不過一般研磨液裡頭含有大量研磨粒,容易讓晶圓產生缺陷,但RL3100擁有高研磨效率、晶圓表面銅的清除能力,且具稀釋性,可以減少研磨墊的清洗並提高使用壽命,還可藉此提高產能。

據了解,目前該產品也已被美國14奈米高階製程的晶圓大廠採用,成為其主要供應商,台灣區的產能則負責供應整個亞太地區,現階段有高達8成的研磨墊都是來自台灣廠供應。而此次世代的研磨液也被IDM(整合元件廠)選為14奈米節點的記錄製程(Process of Record)及晶圓代工廠28奈米的TSV(直通矽晶穿孔Through-Silicon Via封裝技術)製程採用。

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