DRAM(動態隨機存取記憶體)大廠南亞科技2月26日舉行30周年媒體茶敘,南亞科總經理李培瑛相較前次法說會,釋出更加樂觀的記憶體市場展望,預期DRAM市況2025上半年將觸底。
南亞科2024年合併營收新台幣341.31億元,合併虧損50.83億元,比起前一年的虧損74.4億元收斂;2024年每股盈餘(EPS)-1.64元,較2023年的-2.4元改善。2025年1月份自結合併營收21.62億元,月減1.96%、年減29.35%,主要受季節性淡季影響。
面對中國記憶體廠殺價競爭,南亞科差異化求生
根據《日經》2月14日報導,記憶體3大原廠(美光、三星、海力士)可能2025年內停產DDR3與DDR4,訂單將轉向台灣記憶體廠商,外界關注南亞科、華邦電等業者是否有望受惠。
對此,李培瑛回應,這些訊息尚需時間驗證,還要長期觀察,不過庫存調節會持續發生。
而近年來中國業者大舉擴產,影響DRAM加速跌價,讓李培瑛坦言,「如果沒有中國大廠產能壓力,市場早已回復!」
他回顧,中國自從10來年前開始發展DRAM,當時業界風聲鶴唳,南亞科也流失了不少資深員工及經理人,2016~2021年中國業者還未影響全球市場平衡,不過如今對整個DRAM業界都造成影響,也因此3大廠以停產因應。
不若中國業者有政府大量投資支持,李培瑛說道,南亞科以差異性經營走出另闢蹊徑,其中一例為客製化的HBM解決方案。
攜手合作夥伴攻客製化HBM,目標2026年出貨驗證
對於HBM發展,李培瑛表示,南亞科首要目標並非搶進3大原廠寡占、資料中心AI伺服器所用的HBM3、HBM3E,或回頭去做HBM2,而是瞄準客製化產品,「因為AI從雲端下放(至終端產品)後,需要更多客製化的高頻寬記憶體。」南亞科預計2026年底,與合作夥伴一同推出HBM新產品,將 針對AI PC、手機、機器人、汽車等終端應用 。
李培瑛並提到,HBM研發需具備「高密度設計」、「3D IC多晶片封裝」、「高頻寬設計」、「先進邏輯晶片基礎裸晶(Base die)」等4大能力,其中南亞科因沒有投入邏輯製程,將與策略夥伴一同合作。
南亞科去年12月中曾宣布,以不超過6.6億元投資旗下補丁科技,結合該公司客製化DRAM產品設計能力,共同開發高附加價值、高效能的客製化高頻寬記憶體解決方案。南亞科亦與封測夥伴福懋科一同建置3D矽穿孔製程(TSV),以及多晶片堆疊封裝的製造能力。
DeepSeek加速裝置端AI普及,看好邊緣運算將提升DRAM搭載
展望2025年市況,李培瑛表示,AI持續挹注伺服器DRAM需求,DeepSeek的出現並有助邊緣AI運算加速普及,終端產品的AI應用將開始增加,例如AI PC、AI手機、AI機器人及智慧電子產品,將有利DRAM搭載量提升;另一方面,非AI領域也可望逐步改善,預期DRAM市場有望在2025上半年觸底。
李培瑛提到,各國政府政策如美國加徵關稅,以及各國資料中心基礎建設等,對終端需求影響仍待觀察。其中,區域經濟在刺激方案推動下,將有助於庫存去化,例如中國今年1月宣布的舊換新補貼政策。
針對供需狀況,李培瑛觀察,供應商加速生產HBM及高密度DDR5,伺服器持續帶動市場需求,雲端業者大量投資AI伺服器,通用型伺服器的採購亦增加;手機業者庫存逐步回到正常水位,整體手機出貨台數及DRAM搭載量,可望比去年成長。
在PC方面,成長動能則包括作業系統更新的企業換機需求,以及AI PC的DRAM搭載量提升、區域經濟刺激方案等消費型產品需求。