美國總統大選預測民調準嗎?希拉蕊、川普誰的鐵粉最多?
美國總統大選預測民調準嗎?希拉蕊、川普誰的鐵粉最多?

經歷蘇格蘭獨立公投、英國脫毆公投等民調小失準後,每到選舉,都讓人想了解,究竟什麼指標比較準?畢竟,預測不只牽涉到候選人的競選策略,甚至也會包括賭盤的輸贏啊。

奧美互動根據此次美國總統大選,分析川普希拉蕊的粉絲團活躍數據,依據辯論會的時間點,觀察社群數據的變化以及和傳統民調的差異,真的差很大!

首先看到The New York Times的民調顯示,川普曾在九月中拉近與希拉蕊的距離,但在9月26日第一次辯論會後,民調差距持續擴大,直到10月9日第二次辯論會後,仍持續探底,到了10月19日的第三次辯論會,趨勢沒變。多數觀察家都認為,川普在辯論會中愛插話、失言等不佳表現,導致了這樣的結果。

但從社群數據來看,情勢完全不同。

從該期間兩大粉絲團的活躍臉書用戶(註1)來看,辯論前四周,川普粉絲團該周共吸引超過72萬的臉書用戶與貼文互動,是希拉蕊粉絲團的2.61倍。也就是8/29至9/4為止,川普共有72萬多的臉書用戶在幫他拉票。

僅供編輯使用-Hillary-Trump-shutterstock_458871724.jpg
圖/ Shutterstock

每一次互動,都讓川普的理念被更多人看到,但第一次辯論的好表現,讓希拉蕊吸引16萬名的臉書用戶在9/26至10/3與她的粉絲團互動,首度超越川普。可惜,到了第二次辯論後,又被拉開差距,10/19至10/25之間近一周的活躍臉書用戶仍保持1.23倍的差距。

希拉蕊、川普粉絲團互動情形。奧美互動.png
希拉蕊、川普粉絲團活躍臉書用戶情形。
圖/ 奧美互動

若從平均每日都有與粉絲團互動的臉書用戶(以下簡稱鐵粉)數據來看,川普的鐵粉(註2)在辯論前一周(9/19-9/26)領先希拉蕊35倍之多。

雖辯論會後差距縮小,但希拉蕊的鐵粉數始終沒有超過川普,近一周的數據顯示,從10/19至10/25為止,有跟川普粉絲團貼文互動超過7次以上的人數高達14萬之多,仍與希拉蕊保持2.04倍的差距。

這也表示希拉蕊並未成功將第一次辯論會所帶來的粉絲,轉換成鐵粉,實屬可惜。

希拉蕊、川普粉絲團上的鐵粉趨勢圖。奧美互動。.png
希拉蕊、川普粉絲團上的鐵粉趨勢圖。
圖/ 奧美互動

老實說,川普的嘴砲性格,本來就讓很多人不愛,但川普鐵粉人數仍超過希拉蕊許多,究竟叫我們要如何是好?更驚人的是,每天願意幫他推波助瀾的人,仍高達14萬人之多,著實證明,民調數字上揚,並不代表你嘴角可跟著上揚,社群上還有一場硬仗要打呢!

究竟,是民調中支持你的人,會幫助你贏得勝選?還是在臉書上擁護你的人,才會幫你宣揚理念,贏得權杖?11月8日,就可見真章。

備註:為避免無法判別留言和分享的正負面情緒,本文中的互動僅指按讚。
註1:活躍臉書用戶指該時間區間內,有跟該粉絲團貼文互動的臉書用戶總數。
註2:鐵粉定義為該時間區間內,平均每日互動超過1次以上的臉書用戶。

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晶片裡的「隱形守護者」!從車用、物聯網到AI人工智慧,看上峰科技如何靠I-fuse®打開新局
晶片裡的「隱形守護者」!從車用、物聯網到AI人工智慧,看上峰科技如何靠I-fuse®打開新局

在電動車的感測系統、物聯網中的無電池標籤,以及AI伺服器的高速記憶體修復技術中,都有一個極其微小、幾乎難以用肉眼辨識的元件,默默地發揮關鍵作用。它負責確保系統功能的正確運作,並保護資料的安全性。這個不起眼卻不可或缺的元件,就是「單次可燒錄記憶體」(OTP)。

想像一下,當你坐在自動駕駛的電動車裡,這台移動的智慧裝置正以每小時100公里的速度行駛。它的感測系統、電池管理與安全控制,全仰賴晶片裡的數十億個電晶體協同運作。然而在這些肉眼不可見的微觀世界中,有一個被稱為「功能保險絲」的關鍵元件,如果它的數據在出廠後因高溫或電壓變化而悄悄「跑掉」,將可能在高速行駛下可能造成無法挽回的危險 。

當晶片製程往先進節點發展,傳統OTP技術隨製程微縮而暴露出可靠度與壽命的瓶頸。過去在成熟製程表現穩定的方案,進入7奈米或更先進的製程後,讀取壽命竟從理論上的「無限次」驟降至僅能維持數秒,突顯現有技術難以因應先進製程需求,對需要長期穩定運作的車用與工業應用而言是不可承受的風險。作為矽智財供應商的上峰科技,正是專注於這項關鍵技術的代表之一,其專利OTP技術已被應用於車用電子、物聯網裝置、AI與高可靠性工業設備等多個領域,為全球客戶提供穩定且可持續的解決方案 。「我們的目標是讓OTP在先進製程中一樣可靠,甚至比以前更好。」上峰科技創辦人暨董事長莊建祥開門見山地說。

以電遷移取代爆炸,上峰科技重寫OTP的可靠性

不同於傳統電子熔絲(eFuse)依靠高電流「爆炸式」燒斷導體,或反熔絲(Anti-fuse)以高電壓擊穿氧化層,上峰科技的I-fuse®解決方案採用低於熔斷點的熱輔助電遷移機制。簡單來說,就是用較低的電流與電壓,讓金屬原子在導線內緩慢遷移並改變阻值,而不是粗暴地炸斷它。

莊建祥解釋到,不同於eFuse的「爆炸式」斷裂,I-fuse®的方式更像是一種「緩慢推動」金屬原子的遷移,過程溫和卻能精準改變阻值。因為沒有爆炸,自然就沒有金屬碎屑或自我接回的風險,編程狀態因此能長期保持穩定;而在過程中所需的電壓與電流也遠低於傳統技術,無需高壓電路與內建電荷泵,讓系統設計更簡潔、功耗更低。

他進一步談到,I-fuse®還能在讀取過程中模擬燒錄狀態,所謂的"假燒”,產生類似靜態隨機存取記憶體(Static Random-Access Memory, SRAM)的重複讀寫測試模式,對整個OTP區塊進行全面檢測,確保每一顆出廠的OTP在進入車用或其他高安全性應用之前,都已經通過完整的可靠度驗證,以達成"零缺陷”。過去十多年,I-fuse®已在多種製程節點完成驗證,包括成熟製程與高介電常數金屬閘極(High-k Metal Gate, HKMG)節點。2023年,上峰科技也曾宣布I-fuse®成功在12奈米鰭式場效電晶體(Fin Field-Effect Transistor, FinFET)製程完成矽驗證,不僅延續低成本與設計彈性的優勢,也證明即使在先進製程下,仍能以極小面積支援業界優異的低操作電壓,且無需額外光罩與電荷泵。

不過隨著製程微縮,金屬線寬與高度同步縮小,對爆炸式燒斷的OTP而言是嚴峻挑戰,卻讓 I-fuse®的電遷移機制更得心應手,莊建祥表示當線條越細,越容易在低電壓下完成燒錄,因此上峰科技有足夠的信心能直接從12奈米跨入7奈米,並規劃向3奈米、甚至環繞式閘極(Gate-all-around, GAA)與FinFET架構前進。

計畫助攻跨入7奈米,I-fuse®應用版圖持續擴張

上峰科技聚焦標準邏輯製程,I-fuse® 助力解決晶片製程轉換關鍵挑戰。
上峰科技聚焦標準邏輯製程,I-fuse® 助力解決晶片製程轉換關鍵挑戰。
圖/ 數位時代

而這次的跨越,正是因為有經濟部產業發展署推動的「驅動國內IC設計業者先進發展補助計畫」(以下簡稱晶創IC補助計畫)協助。莊建祥坦言,對規模不大的IP業者而言,先進製程開發風險高、投入成本大,如果沒有外部資源挹注,很難同時負擔研發與驗證。「晶創IC補助計畫」不僅減輕了資金壓力,更讓上峰科技能集中火力解決7奈米製程的關鍵挑戰,包括更嚴格的設計規範與更密集的繞線限制。

「只要製程允許,我們的技術就能做。」莊建祥強調,I-fuse®採用晶圓廠提供的標準邏輯製程材料,不需改變製程或額外光罩,因此對製程轉換的適應速度遠優於其他OTP技術。「別人可能要花三、四年才能適應新的製程架構,我們幾乎可以無縫切換。」

OTP雖小但其用途極廣。在車用感測器中,它是確保不同零件出廠後能進行精準校正的關鍵;在 AI 伺服器與高速運算晶片裡,它能修補記憶體陣列中損壞的位元,延長晶片壽命;在物聯網無電池的裝置中,I-fuse®以極低讀取電壓(0.4V / 1µW)就能運作,適合能量收集環境。莊建祥更明確指出,I-fuse®未來將持續鎖定Wi-Fi裝置、微控制器單元(Microcontroller Unit, MCU)等對低功耗與高可靠性有高度需求的市場,與現有的車用與工業應用形成互補布局。

在全球晶片供應鏈中,OTP 是與輸入/輸出函式庫(I/O Library)、標準單元庫、靜態隨機存取記憶體編譯器(SRAM Compiler) 並列的「四大基礎 IP」之一,幾乎每顆晶片都需要。掌握這項技術,不僅是產品設計的靈活度,更關乎先進製程的導入速度與成本控制。上峰科技的策略是在穩固現有國際客戶基礎上,藉由「晶創IC補助計畫」加速進入7奈米,並持續向更先進節點前進。透過低功耗、高可靠性的 I-fuse®,讓臺灣有機會在先進製程OTP技術上,取得與國際一線供應商並肩甚至領先的地位。

「我們希望成為各種應用場景中,最可靠、最靈活的OTP解決方案。」 莊建祥說。從成熟製程到 7 奈米,從車用到AI與IoT,這顆小小的OTP正承載著臺灣在先進製程中的另一項關鍵優勢。

|企業小檔案|
- 企業名稱:上峰科技
- 創辦人:莊建祥
- 核心技術:專注於OTP矽智財的研發
- 資本額:新台幣2億元
- 員工數:46人

|驅動國內IC設計業者先進發展補助計畫簡介|
由國科會協調經濟部及相關部會共同合作所提出「晶片驅動臺灣產業創新方案」,目標在於藉由半導體與生成式AI的結合,帶動各行各業的創新應用,並強化臺灣半導體產業的全球競爭力與韌性。在此政策框架下,經濟部產業發展署執行「驅動國內IC設計業者先進發展補助計畫」,以實質政策補助,於113年鼓勵業者往AI、高效能運算、車用或新興應用等高值化領域之「16奈米以下先進製程」或「具國際高度信任之優勢、特殊領域」布局,以避開中國大陸在成熟製程的低價競爭,並提升我國IC設計產業價值與國際競爭力。

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