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5G、電動車都要的材料!同時生產碳化矽、氮化鎵,全台只有它做得到

嘉晶是台灣唯一能量產4吋、6吋碳化矽磊晶及6吋氮化鎵磊晶的公司,品質也獲得國際IDM大廠認可,除了專利技術,他們如何區隔出與同業的差異,形成競爭優勢?

從手機到電動車都需要用到的碳化矽(SiC),可以說是邁入5G時代的重要半導體材料。

大致來說,半導體材料可分為3個階段:第一階段是矽(Si)元素等基礎材料;第二階段是砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物半導體材料;最新的第三代半導體材料,則以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬頻化合物半導體材料為代表。

碳化矽具有耐高溫、耐高壓的特點,應用範圍包括智慧電網、不斷電系統、電源供應器以及新能源車領域。 電動車大廠特斯拉(Tesla)就在Model 3車款的逆變器中,採用SiC MOSFET(金屬氧化半導體場效電晶體)元件;氮化鎵應用的領域則包括手機、電動車、 5G 基地台等。

成立於1998年的嘉晶,主要負責研究、開發、生產製造及銷售矽、碳化矽、氮化鎵等磊晶材料,由於嘉晶是國內唯一一家可以同時提供碳化矽,以及氮化鎵磊晶代工服務的廠商,隨著5G、電動車時代的到來,嘉晶在材料領域占有關鍵優勢。

嘉晶產品_嘉晶提供
嘉晶是台灣唯一可同時生產碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)的廠商,可以針對客戶對於元件不同特性需求,客製生產方式與製程條件,打造一站式服務。圖為嘉晶矽磊晶產品。
圖/ 嘉晶提供

優勢1〉就近服務,占有產業關鍵優勢

嘉晶為何有本事成為國內唯一?主因是碳化矽、氮化鎵這兩款新材料的生產不易,嘉晶電子董事長徐建華從兩方面來解釋:其一,製造碳化矽晶圓的原料,大多需要從國外少數供應商進口,且製造成本偏高。

其二,技術難度也是一大挑戰。以氮化鎵為例,在製程上,必須將氮化鎵磊晶長在矽晶圓基板上,由於兩者的晶格不同,製作過程中容易翹曲破片,矽晶圓基板也有規格要求,導致整體量產難度高。

在半導體產業中,磊晶屬於材料部分,有耐高溫、耐高壓的特性,晶圓(Wafer)在製作過程中,有些IC設計公司及IDM(垂直整合製造)廠商的產品,需要用到有磊晶的晶圓,就會希望有業者協助備妥基板(substrate)和磊晶,嘉晶就是瞄準這些客群。

徐建華_嘉晶董事長_2020_11_16_蔡仁譯攝-4
嘉晶董事長徐建華分析,磊晶有其特殊性,不容易用標準化方式生產,正因為嘉晶握有磊晶專利技術,得以創造與同業差異。
圖/ 蔡仁譯攝影

目前,嘉晶是台灣唯一有能力量產4吋、6吋碳化矽磊晶及6吋氮化鎵磊晶的公司,擁有磊晶專利技術,品質也獲得國際IDM大廠認可。

徐建華表示,嘉晶在矽磊晶的業務整體主要分為兩大部分。第一部分是提供晶圓代工廠的協力業務,占比約2成,主要是晶圓在代工廠內進行部分流程後,送至嘉晶進行磊晶製程,再返回晶圓代工廠完成後續流程。在製造時效考量下,嘉晶有地域優勢,可就近服務台灣的晶圓代工廠商。

隨著台灣晶圓代工的成長,徐建華認為,這項業務將會持續成長,而且有了技術及效率上的優勢,「外來的競爭者不容易跟我們競爭。」與此同時,嘉晶也完成超接面(Super Junction)金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)多層次或埋藏層製程磊晶出貨,不斷增加自身產品的附加價值。

優勢2〉產品客製,奪得新材料市場先機

另一項占了嘉晶矽磊晶業務約6~7成業績的「標準型」業務,是直接買進晶圓,做一層磊晶在上面,再把磊晶和基板一起賣出。這部分,嘉晶主要是針對中小型的設計公司及IDM公司,提供客製化的規格與製程。

除此之外,嘉晶也會針對中小型的IDM,提供特殊的規格與製程。

之所以鎖定中小型設計公司及IDM客戶,是因為部分廠商因為規模不夠大,採購材料時議價能力較弱,「嘉晶可以集合這些客戶需求,一起跟基板廠商購買原料。」

嘉晶電子董事長徐建華
磊晶有它的特殊性,不容易完全標準化來做。

嘉晶手握磊晶專利技術,加上可以針對客戶對元件特性的不同需求,客製生產方式與製程條件,因而區隔出與同業的差異,形成競爭優勢。

疫情使得遠距工作成為全球職場的新常態,帶動筆電、平板銷售大增,iPhone 12的推出也讓5G需求攀升。其中,5G手機因為搭配大容量電池,氮化鎵快充裝置需求增加,包括三星、小米、聯想、OPPO、華為等大廠,都已採用氮化鎵快充方案。

由於布局得早,嘉晶和集團內夥伴公司漢磊科合作的碳化矽及氮化鎵供應鏈,目前已經進入量產,並持續與多家設計公司及IDM大廠合作,也是嘉晶能持續成長、迎來新商機的重要關鍵。

徐建華_嘉晶董事長_2020_11_16_蔡仁譯攝-6
嘉晶手握磊晶專利技術,加上可以針對客戶對元件特性的不同需求,客製生產方式與製程條件,因而區隔出與同業的差異,形成競爭優勢。
圖/ 蔡仁譯攝影

嘉晶

成立時間:1998年
董事長:徐建華
總經理:孫慶宗
近期財報:2020年第3季營收30億元,年增7.97%
關鍵技術:擁有磊晶專利技術,可量產4吋、6吋碳化矽磊晶,及6吋氮化鎵磊晶

本文出自數位時代319期12月號《解析台灣半導體奇蹟!》封面故事
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責任編輯:林美欣、張庭銉

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