近期全球半導體產能緊缺問題，格羅方德宣布將投入60多億美元為全球客戶增加產能，其中有40億將投放於新加坡廠，將擴產12吋（300mm）製程，每年預計增加45萬片晶圓的生產力。
另外20億將分別投入於美國和德國廠，其中在美國預計基於現有晶圓廠擴產，以年增15萬片晶圓為主，後續有計畫在此地新增一座晶圓廠。這些產能的擴增計畫，預期將滿足汽車、5G和物聯網等高成長市場對安全、功能豐富的晶片日益成長的需求。
另外針對記者提出關於目前汽車MCU缺貨問題？格羅方德回應道，汽車大多使用130~40奈米之間的晶片，未來汽車可能需要40奈米以上的設計。就目前來說，該公司的出貨狀況供給仍非常充足。
但未來規劃上，仍會與相關OEM、Tier 1車廠密切合作，了解新產品需求助其解決設計挑戰。同時，此次投入的擴產計畫，有部分也是為了供應汽車產業製造需求。
「半導體產業模式將重新定義。」格羅方德表示，晶片產能吃緊問題仍未緩解，促使上游晶圓廠與晶片廠合作更為密切，透過共同建廠、簽署長約來維持穩定供貨，已成必然。
例如，今（16）日格羅方德與高通合作簽署5G RF合作計畫的宣布，就是一個明顯例子，相信未來半導體製造與晶片商，甚至是國家政府的合作擴產機會將越來越多。
GF攜手高通，簽署5G RF設計開發
格羅方德談到，此次與高通的合作，希望能利用格羅方德不同的射頻方案，包含RF-SOI（射頻絕緣體上矽）、FD-SOI（全耗盡絕緣體上矽）和SiGe（矽鍺）等技術，為高通提供低延遲、廣覆蓋與電池效率更好的5G方案。
5G市場對射頻前端產品的需求成長加速，功能強大且低功耗的半導體解決方案至關重要。高通資深副總裁暨德國射頻前端GmbH部門總經理Christian Block表示，格羅方德於無線射頻專用、功能豐富的晶圓代工解決方案上占據重要地位，雙方此次合作將能確保其推出的5G產品能滿足高效能要求。
放眼6G發展，GF悄然布局第三代半導體技術
除了繼續深化5G技術研發，格羅方德也開始著手布局第三代半導體技術，並於日前和雷神技術（Raytheon Technologies）宣布合作，將協作開發新型矽基氮化鎵（GaN-on-Si）半導體並實現其商業化，為接下來的6G通訊技術做準備。
雷神技術是僅次於波音的世界第二大航宇防務企業，具備深厚的第三代半導體技術能量，為射頻砷化鎵技術發展的領導廠商，其產品主要用於軍事、航空業。
此次合作雷神技術將授權格羅方德使用其專有的矽基氮化鎵技術，在格羅方德美國的Fab 9廠開發這種新型半導體。不過目前相關技術研發仍屬早期，尚未有具體進度可以分享。
責任編輯：蕭閔云
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