根據南韓官方研究機構分析，在全球重整半導體供應鏈的浪潮下，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK hynix)可能是受影響最嚴重的廠商。
BusinessKorea 12日報導，韓國國際經濟政策研究所(Korea Institute for International Economic Policy, KIEP) 11日公布的《全球半導體供應鏈重整研究》顯示，南韓廠商(尤其是在中國擁有工廠的業者)恐怕會面臨最嚴重的衝擊。
記憶體晶片制裁力道強，三星、SK海力士的衝擊相對大
美國商務部去(2022)年10月禁止先進晶片設備出口至中國，但給予三星、SK海力士及台積電(2330)一年的緩衝期，期限能否展延即將在10月份做出決定。KIEP對此感到憂心，直指「美國即便核准執照，依舊可能隨時加碼制裁中國，在當地營運的南韓企業將面臨更多不確定因素。」
根據報導，雖然台積電也得向美國申請執照，但跟邏輯晶片(僅佔中國10%先進產能)相比，華盛頓當局對記憶體晶片的制裁力道明顯較強(組成中國90%的先進產能)。
目前SK海力士生產的DRAM中，50%產自2006年開張的無錫廠。三星也在西安擁有一座整合型廠房，當中包括一條NAND型快閃記憶體後製處理線(post-processing line)。
KIEP資深研究員Jung Hyung-gon指出，2005~2020年間，南韓半導體業者的海外投資活動主要聚焦中國，當前的制裁行動帶來隱憂。他說，華盛頓當局雖可能考慮到，突然收緊中國記憶體廠的管控將干擾全球供應，但當局恐怕還是會逐步加大管控力道，南韓必須為此預做準備。
Jung表示，在美國建造新廠的成本，比台灣、南韓或新加坡貴30%，同時也比中國貴上50%。他強調，中美半導體爭霸戰將持續延燒，南韓必須趕緊擴大國內半導體產能、並強化半導體中心策略。
華為新機出現自家晶片，SK海力士展開調查
華為最新推出的5G智慧機「Mate 60 Pro」內建先進處理器「麒麟9000s」，引起市場嘩然。加州研究機構TechInsights分析的顯示，麒麟9000s是由中芯國際(0981.HK)運用深紫外光(DUV)微影設備，以名為「N+2」的第二代7奈米製程技術打造。
在中國疑似突破晶片貿易管制後，美國國會議員大聲疾呼，華盛頓政府應切斷出口科技至華為、中芯的所有管道。
路透社9月6日報導，美國眾議院「中國議題特別委員會」主席蓋拉格(Mike Gallagher)發布聲明指出，麒麟9000s若沒有美國科技、恐怕根本製造不出來，因此中芯或已違反美國商務部的「外國直接產品規則」(Foreign Direct Product Rule, FDPR)。
蓋拉格呼籲美國政府切斷對華為、中芯的科技出口管道，因為這麼做才能向外界清楚傳達一個訊息，那就是違反美國法令、傷及國安的任何一家企業，都無法繼續取得美國科技。
另一方面，SK海力士則聲稱，對於Mate 60 Pro為何會內建自家DRAM及NAND型快閃記憶體，該公司毫不知情、將展開調查。
本文授權轉載自：MoneyDJ理財網
責任編輯：蘇祐萱
