在傳出華為白手套事件、台積電暫時停供中國廠商先進AI晶片的消息後，中國半導體產業又傳出壞消息。中國記憶體廠商長鑫存儲合肥廠近日由於人為疏失，數萬片晶圓報廢，甚至從台積電跳槽的廠長也遭到撤換。
長鑫存儲內部文件指出，人為疏失導致的數萬晶片報廢事件，導致產線良率及品管出現重大損失，無法按時交貨，影響公司在市場上的聲譽。公司調查後，包括廠長、副廠長、營運中心負責人等多位高層皆受到懲處。
而這次懲處也有與台灣有關的部分。該廠長之前曾擔任台積電上海松江廠的廠長，然而卻帶走上百名同事，一齊投靠長鑫存儲。
長鑫存儲高薪挖角台灣半導體人才！近年大舉擴產，傳月產能已達20萬片
而爆發這起事件時，適逢美國出口管制趨嚴，中國記憶體廠商加速國產化的階段，此時出現良率問題並不讓人意外。不過原先外界以為這次合肥廠事件可能與導入中國國產設備有關，但知情人士指出應是人為疏失，高管也因此遭到撤換。
長鑫存儲成立於2016年，當年曾開出高價大量延攬台灣半導體人才，目前已成為中國最大的DRAM業者，預計今年產能將占全球DRAM市場的11%。長鑫存儲主要產品包括17、18奈米的DDR4及LPDDR4記憶體，最新產品是12奈米的DDR5及LPDDR5X。
今年9月，曾傳出長鑫存儲正在大幅擴張產能。韓國媒體《ZDNet Korea》指出，長鑫存儲的DRAM整體產能已經從2022年的每月7萬片，到2024年快速成長至每月20萬片的規模，未來總產能更上看30萬片。
依照先前披露資訊，長鑫存儲合肥廠月產能達到10萬片，已經接近滿載；合肥2廠也在擴建當中，預計月產能可達4萬片，另外北京廠也有約3萬片的月產能。今年長鑫存儲還在上海浦東取得一塊工業用地，預計將投資171億人民幣建造新廠，投資先進封裝技術。
長鑫計畫投入HBM，傳已購買必要設備
而隨著AI技術升溫，高頻寬記憶體（HBM）近年格外受到關注，今年2月《日經亞洲》曾披露，長鑫存儲正欲進軍HBM領域，當時已和美國及日本供應商訂購了部分用於HBM的製造及測試設備，並且從去年開始著手開發將DRAM晶片垂直堆疊的技術，以複製HBM晶片的架構。
《TechNOW Voice》指出，一直有傳言美國出口禁令管制重點會是HBM，這次華為白手套事件是突發狀況而臨時「插隊」，否則下一輪科技主戰場會是HBM。當時還提到兩大HBM巨頭三星及SK海力士今年上半年對中國銷量皆有接近一倍甚至一倍以上的漲幅，被認為可能受到禁令較大影響。
事實上，今年9月美國便開始討論就HBM對中國進行制裁的必要性，中國記憶體業者加速投入HBM國產化也在外界的意料之內。
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資料來源：TechNOW Voice、TrendForce、Nikkei Asia
責任編輯：林美欣
