實測|Google Pixel 10 Pro XL 上手玩!傳說中的「百倍變焦」實拍,台積電晶片助攻有感嗎?
實測|Google Pixel 10 Pro XL 上手玩!傳說中的「百倍變焦」實拍,台積電晶片助攻有感嗎?
2025.09.09 | 3C生活

Google Pixel系列已經成為AI手機的代名詞,上一代Pixel 9系列也創下不俗的銷售成績。

Pixel 10系列在外型上沒有太大變化,但換上了Tensor G5處理器,採台積電3奈米製程,力求讓AI演算速度效能更佳,相機更加入AI演算大法,讓變焦推升到100倍。

《數位時代》取得實體機,體驗Google Pixel 10 Pro XL嶄新的設計和功能。

Google Pixel 10 Pro XL
Google Pixel 10 Pro XL綠玉色。
圖/ 隋昱嬋攝影

硬體外型:不沾指紋,變更重了?

Google Pixel 10 Pro XL的盒裝物依照慣例相當簡單,僅附上充電線、退卡針和說明書。

Pixel 10 Pro XL 盒裝物
Pixel 10 Pro XL 盒裝物。
圖/ 隋昱嬋攝影

《數位時代》本次取得的機型為Google Pixel 10 Pro XL綠玉色,偏粉嫩的淺綠霧面磨砂機背,搭配淡淡金色拋光金屬邊框。值得一提的是,採用抗指紋塗層有效減少手指油污殘留,實際使用上真的幾乎不沾指紋,甚至掌心有汗或者擦了護手霜,都不太會黏在機背上,就算有輕微指紋也不明顯。

Google Pixel 10 Pro XL
Google Pixel 10 Pro XL綠玉色。
圖/ 隋昱嬋攝影
Google Pixel 10 Pro XL
Pixel 10 Pro XL背蓋觸感佳,幾乎不沾指紋。
圖/ 隋昱嬋攝影

和上一代Pixel 9 Pro XL相比,單看外型差異不大,僅相機模組大小有相當細微的差距。機身厚度維持和上一代相同的8.5mm,但重量從221克增加到232克,整整重了11克,外界推測是和電池模組變重有關,作為比較,iPhone 16 Pro Max為227公克。

Google Pixel 10 Pro XL上代對比
Pixel 10 Pro XL(右)和Pixel 9 Pro XL(左)外型幾乎相同。
圖/ 隋昱嬋攝影
Google Pixel 10 Pro XL上代對比
Pixel 10 Pro XL(上)相機模組比Pixel 9 Pro XL(下)更薄一點。
圖/ 隋昱嬋攝影

Pixel 10 Pro XL採用6.8吋螢幕20:9 顯示比例,擁有1,344 x 2,992高解析度,採用支援1 ~ 120Hz自動更新率,螢幕峰值亮度高達 3,300 nits,超越前代 Pixel 9 Pro XL 的 2,469 nits 的紀錄。實際使用色彩相當鮮亮對比度高,在戶外強光環境下仍能清晰顯示。

Pixel 10 Pro XL 螢幕
Pixel 10 Pro XL 螢幕為6.8吋。
圖/ 隋昱嬋攝影
Pixel 10 Pro XL 螢幕
Pixel 10 Pro XL 螢幕邊框。
圖/ 隋昱嬋攝影

規格效能:續航力變化不大,升格無線充電

Pixel 10 Pro XL採用的Tensor G5處理器是首度採用台積電3奈米製程,實際體驗感覺流暢度表現良好,AI功能速度提升,不過續航力沒有明顯變化。

雖然這一代電池容量小幅升級,從上一代的5,060mAh升到5,200mAh,實際測試,玩MMORPG遊戲一小時電量大約下滑10%,續航力普通。不過散熱表現不錯,玩遊戲時或拍照半小時以上,手機都沒有太明顯發熱的情況。

Google Pixel 10 Pro XL遊戲畫面
Pixel 10 Pro XL玩遊戲測試。
圖/ 隋昱嬋攝影

而這次相當大的變化是終於能無線充電了!支援最高15W Qi2無線充電,而且還提供「 Pixelsnap」,也就是iPhone機背的圓形MagSafe,同樣可以使用磁吸充電功能,不用購買磁吸保護殼。

Google Pixel 10 Pro XL磁吸
Google Pixel 10 Pro XL新增Pixelsnap磁吸線圈。
圖/ 隋昱嬋攝影

相機拍照:靠AI解鎖百倍變焦,多倍數全天拍攝效果

相機規格和上一代相同,主鏡頭5,000萬畫素,4,800萬畫素超廣角鏡頭,4,800萬畫素長焦鏡頭,配有0.5倍、1倍、2倍、5倍、10倍光學品質變焦,以及30倍數位變焦。

其中最受矚目的就是首度搭載的100倍AI變焦「ProRes Zoom」功能,使用前需要先在相機裡下載好模型,拍下照片後,會需要幾秒鐘等待AI演算完成,純靠AI加強拍攝效果。

實際測試,雖然100倍拍攝時很難控制手部晃動,但不論是白天還是夜晚,演算出的效果,包含光影、色彩都算可圈可點。

Google Pixel 10 Pro XL 100倍對比白天.jpg
Pixel 10 Pro XL 100倍變焦,白天拍攝效果。
圖/ 隋昱嬋攝影
Pixel 10 Pro XL 100倍白天對比.jpg
Pixel 10 Pro XL 100倍白天實際拍攝效果。
圖/ 隋昱嬋攝影
Google Pixel 10 Pro XL 100倍夜拍對比三張.jpg
Pixel 10 Pro XL 100倍夜拍效果對比。
圖/ 隋昱嬋攝影
Google Pixel 10 Pro XL 100倍夜拍對比.jpg
Pixel 10 Pro XL 100倍夜拍效果。
圖/ 隋昱嬋攝影

使用其他倍數在整天的拍攝體驗中,白天的色彩意外地顯得有些黯淡,在黃昏時則顯得相當鮮豔,光影表現優秀。

Pixel 10 Pro XL
Pixel 10 Pro XL白天拍攝色彩有些黯淡。
圖/ 隋昱嬋攝影
Pixel 10 Pro XL 黃昏
Pixel 10 Pro XL 黃昏5倍拍攝效果。
圖/ 隋昱嬋攝影
Pixel 10 Pro XL
Pixel 10 Pro XL黃昏拍攝效果。
圖/ 隋昱嬋攝影
Pixel 10 Pro XL 黃昏
Pixel 10 Pro XL 黃昏拍攝效果。
圖/ 隋昱嬋攝影
Pixel 10 Pro XL 黃昏
Pixel 10 Pro XL 黃昏10倍拍攝效果。
圖/ 隋昱嬋攝影

在所有倍數中,30倍的數位變焦拍攝最容易失真液化。

PXL_20250905_090552281 (1).jpg
Pixel 10 Pro XL 30倍。
圖/ 隋昱嬋攝影
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Pixel 10 Pro XL 30倍。
圖/ 隋昱嬋攝影
Pixel 10 Pro XL 30倍
Pixel 10 Pro XL 30倍。
圖/ 隋昱嬋攝影

夜拍效果表現不錯,光影稍嫌扁平,但色彩鮮豔不失真,天空也不會被演算到過亮如白晝。

Pixel 10 Pro XL 夜拍
Pixel 10 Pro XL 一般夜拍模式就能拍出不錯的動態光軌。
圖/ 隋昱嬋攝影
Pixel 10 Pro XL 夜拍
Pixel 10 Pro XL 夜拍細節鮮明,色彩不失真。
圖/ 隋昱嬋攝影
Pixel 10 Pro XL 夜拍
Pixel 10 Pro XL 夜拍5倍,被風吹動的植物不容易對焦。
圖/ 隋昱嬋攝影

AI功能:台灣還得等,拍照教練試玩

比較可惜的是,不少在發表會中公開的AI功能都還未開放台灣用戶使用,包含能分析畫面中動作提供協助的AI Agent「Magic Cue」,以及即時通話翻譯功能等。

目前能立刻上手試玩的新功能為「拍照指導」(Camera Coach),顧名思義能教你拍出好看的構圖照片。

Pixel 10 Pro XL Camera Coach

點開相機後,右上角有一個常駐的小相機按鈕,點按便可叫出拍照指導,它會先偵測眼前的畫面,提供幾種構圖選擇,例如對焦在後方物品上、全景、大特寫等,選擇後上方會有文字指令,一步步教你完成任務。

總結:單代差異不大,但延續優點、改善缺點

由於最受矚目的幾種AI功能目前尚未開放台灣使用,Pixel 10 Pro XL整體使用感受和上一代差異並不大。不過相對地,也沒有明顯短板出現,是一款可圈可點的旗艦手機。

售價資訊

Pixel 10:曜石黑、冰霜紫、香茅綠、靛藍色四款顏色,售價為新台幣$ 26,490元起
Pixel 10 Pro、Pixel 10 Pro XL:曜石黑、陶瓷米、月岩灰、綠玉色四款顏色,售價分別新台幣$ 33,490元起、$ 39,990 元起。
Pixel 10 Pro Fold:在台灣推出月岩灰色,售價為新台幣$ 56,990元起。

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晶片裡的「隱形守護者」!從車用、物聯網到AI人工智慧,看上峰科技如何靠I-fuse®打開新局
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在電動車的感測系統、物聯網中的無電池標籤,以及AI伺服器的高速記憶體修復技術中,都有一個極其微小、幾乎難以用肉眼辨識的元件,默默地發揮關鍵作用。它負責確保系統功能的正確運作,並保護資料的安全性。這個不起眼卻不可或缺的元件,就是「單次可燒錄記憶體」(OTP)。

想像一下,當你坐在自動駕駛的電動車裡,這台移動的智慧裝置正以每小時100公里的速度行駛。它的感測系統、電池管理與安全控制,全仰賴晶片裡的數十億個電晶體協同運作。然而在這些肉眼不可見的微觀世界中,有一個被稱為「功能保險絲」的關鍵元件,如果它的數據在出廠後因高溫或電壓變化而悄悄「跑掉」,將可能在高速行駛下可能造成無法挽回的危險 。

當晶片製程往先進節點發展,傳統OTP技術隨製程微縮而暴露出可靠度與壽命的瓶頸。過去在成熟製程表現穩定的方案,進入7奈米或更先進的製程後,讀取壽命竟從理論上的「無限次」驟降至僅能維持數秒,突顯現有技術難以因應先進製程需求,對需要長期穩定運作的車用與工業應用而言是不可承受的風險。作為矽智財供應商的上峰科技,正是專注於這項關鍵技術的代表之一,其專利OTP技術已被應用於車用電子、物聯網裝置、AI與高可靠性工業設備等多個領域,為全球客戶提供穩定且可持續的解決方案 。「我們的目標是讓OTP在先進製程中一樣可靠,甚至比以前更好。」上峰科技創辦人暨董事長莊建祥開門見山地說。

以電遷移取代爆炸,上峰科技重寫OTP的可靠性

不同於傳統電子熔絲(eFuse)依靠高電流「爆炸式」燒斷導體,或反熔絲(Anti-fuse)以高電壓擊穿氧化層,上峰科技的I-fuse®解決方案採用低於熔斷點的熱輔助電遷移機制。簡單來說,就是用較低的電流與電壓,讓金屬原子在導線內緩慢遷移並改變阻值,而不是粗暴地炸斷它。

莊建祥解釋到,不同於eFuse的「爆炸式」斷裂,I-fuse®的方式更像是一種「緩慢推動」金屬原子的遷移,過程溫和卻能精準改變阻值。因為沒有爆炸,自然就沒有金屬碎屑或自我接回的風險,編程狀態因此能長期保持穩定;而在過程中所需的電壓與電流也遠低於傳統技術,無需高壓電路與內建電荷泵,讓系統設計更簡潔、功耗更低。

他進一步談到,I-fuse®還能在讀取過程中模擬燒錄狀態,所謂的"假燒”,產生類似靜態隨機存取記憶體(Static Random-Access Memory, SRAM)的重複讀寫測試模式,對整個OTP區塊進行全面檢測,確保每一顆出廠的OTP在進入車用或其他高安全性應用之前,都已經通過完整的可靠度驗證,以達成"零缺陷”。過去十多年,I-fuse®已在多種製程節點完成驗證,包括成熟製程與高介電常數金屬閘極(High-k Metal Gate, HKMG)節點。2023年,上峰科技也曾宣布I-fuse®成功在12奈米鰭式場效電晶體(Fin Field-Effect Transistor, FinFET)製程完成矽驗證,不僅延續低成本與設計彈性的優勢,也證明即使在先進製程下,仍能以極小面積支援業界優異的低操作電壓,且無需額外光罩與電荷泵。

不過隨著製程微縮,金屬線寬與高度同步縮小,對爆炸式燒斷的OTP而言是嚴峻挑戰,卻讓 I-fuse®的電遷移機制更得心應手,莊建祥表示當線條越細,越容易在低電壓下完成燒錄,因此上峰科技有足夠的信心能直接從12奈米跨入7奈米,並規劃向3奈米、甚至環繞式閘極(Gate-all-around, GAA)與FinFET架構前進。

計畫助攻跨入7奈米,I-fuse®應用版圖持續擴張

上峰科技聚焦標準邏輯製程,I-fuse® 助力解決晶片製程轉換關鍵挑戰。
上峰科技聚焦標準邏輯製程,I-fuse® 助力解決晶片製程轉換關鍵挑戰。
圖/ 數位時代

而這次的跨越,正是因為有經濟部產業發展署推動的「驅動國內IC設計業者先進發展補助計畫」(以下簡稱晶創IC補助計畫)協助。莊建祥坦言,對規模不大的IP業者而言,先進製程開發風險高、投入成本大,如果沒有外部資源挹注,很難同時負擔研發與驗證。「晶創IC補助計畫」不僅減輕了資金壓力,更讓上峰科技能集中火力解決7奈米製程的關鍵挑戰,包括更嚴格的設計規範與更密集的繞線限制。

「只要製程允許,我們的技術就能做。」莊建祥強調,I-fuse®採用晶圓廠提供的標準邏輯製程材料,不需改變製程或額外光罩,因此對製程轉換的適應速度遠優於其他OTP技術。「別人可能要花三、四年才能適應新的製程架構,我們幾乎可以無縫切換。」

OTP雖小但其用途極廣。在車用感測器中,它是確保不同零件出廠後能進行精準校正的關鍵;在 AI 伺服器與高速運算晶片裡,它能修補記憶體陣列中損壞的位元,延長晶片壽命;在物聯網無電池的裝置中,I-fuse®以極低讀取電壓(0.4V / 1µW)就能運作,適合能量收集環境。莊建祥更明確指出,I-fuse®未來將持續鎖定Wi-Fi裝置、微控制器單元(Microcontroller Unit, MCU)等對低功耗與高可靠性有高度需求的市場,與現有的車用與工業應用形成互補布局。

在全球晶片供應鏈中,OTP 是與輸入/輸出函式庫(I/O Library)、標準單元庫、靜態隨機存取記憶體編譯器(SRAM Compiler) 並列的「四大基礎 IP」之一,幾乎每顆晶片都需要。掌握這項技術,不僅是產品設計的靈活度,更關乎先進製程的導入速度與成本控制。上峰科技的策略是在穩固現有國際客戶基礎上,藉由「晶創IC補助計畫」加速進入7奈米,並持續向更先進節點前進。透過低功耗、高可靠性的 I-fuse®,讓臺灣有機會在先進製程OTP技術上,取得與國際一線供應商並肩甚至領先的地位。

「我們希望成為各種應用場景中,最可靠、最靈活的OTP解決方案。」 莊建祥說。從成熟製程到 7 奈米,從車用到AI與IoT,這顆小小的OTP正承載著臺灣在先進製程中的另一項關鍵優勢。

|企業小檔案|
- 企業名稱:上峰科技
- 創辦人:莊建祥
- 核心技術:專注於OTP矽智財的研發
- 資本額:新台幣2億元
- 員工數:46人

|驅動國內IC設計業者先進發展補助計畫簡介|
由國科會協調經濟部及相關部會共同合作所提出「晶片驅動臺灣產業創新方案」,目標在於藉由半導體與生成式AI的結合,帶動各行各業的創新應用,並強化臺灣半導體產業的全球競爭力與韌性。在此政策框架下,經濟部產業發展署執行「驅動國內IC設計業者先進發展補助計畫」,以實質政策補助,於113年鼓勵業者往AI、高效能運算、車用或新興應用等高值化領域之「16奈米以下先進製程」或「具國際高度信任之優勢、特殊領域」布局,以避開中國大陸在成熟製程的低價競爭,並提升我國IC設計產業價值與國際競爭力。

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