iPad Pro硬體升級!下一代將導入「VC均熱板」強化散熱,18吋折疊iPad可能告吹?
iPad Pro硬體升級!下一代將導入「VC均熱板」強化散熱,18吋折疊iPad可能告吹?

重點一:Apple(蘋果)計畫在最早2027年為 iPad Pro 導入「Vapor Chamber(氣冷均熱板)」,以提升散熱與效能並減少降頻。

重點二:Apple 正推進在 Apple Maps(蘋果地圖)導入廣告,最快明年上線,採用類似 App Store 搜尋廣告並結合 AI。

重點三:18 吋可摺疊 iPad 專案因重量、OLED 面板與售價問題遇阻,上市時程從原定2028年延至最早2029年,存在流產風險。

Apple(蘋果)正研發將「Vapor Chamber(氣冷均熱板)」導入 iPad Pro,以改善散熱與持續效能輸出,目標最早於2027年春季問世。該技術已在 iPhone 17 Pro 上成為主打亮點,能在無風扇設計下透過液體導熱抑制高負載時的機身溫度與晶片降頻,支援大型遊戲、進階影片剪輯與 Apple Intelligence 等運算需求。

《彭博社》報導指出,最新 iPad Pro 已搭載蘋果 M5 晶片,其效能在部分基準測試上可比擬 Mac Studio 的 M1 Ultra 晶片等級;預期 2026 年導入均熱板時,iPad Pro 亦將換上以台積電 2 奈米製程生產的 M6 晶片,在效能與能效上再升級。

由於 iPad Air近年持續「往上打」— 2024 年採用與 Pro 相同的 13 吋尺寸、並傳出 2026 年可望升級至 M4(蘋果 M4 晶片)— 氣冷均熱板有望成為 Pro 與 Air 的關鍵差異化,驅動高階換機。

Apple Maps 料將導入廣告

Apple 正加速把廣告導入 Apple Maps(蘋果地圖),最快2026推出。機制類似 App Store 的 Search Ads(搜尋廣告),讓餐廳與在地商家能在關鍵字搜尋中取得「置頂曝光」,並結合 AI 以提升結果相關性與介面體驗。

彭博社記者馬克·古爾曼(Mark Gurman)指出,此舉延續 Apple 在 iOS 生態系的商業化策略,包括 Apple News(蘋果新聞)中的廣告位與服務推播。報導同時提到風險:部分用戶已對付費裝置上的廣告推送感到不滿,認為高單價 iPhone 出現更多行銷訊息可能引發反彈;因此 Apple Maps 的廣告呈現與精準度,將成為平衡變現與體驗的關鍵。

18吋可摺疊iPad,有胎死腹中機率

備受關注的 18 吋可摺疊 iPad 專案出現瓶頸。依報導,Apple 原本目標2028 年推出,但目前因原型機重量、超高階可摺疊 OLED 面板的技術挑戰,以及售價可能超過 3,000 美元(約為新台幣9.2萬元)與市場需求不確定等因素,已將時程延至最早 2029 年

值得注意的是,蘋果內部人士評估其問世機率僅為「五五波」,顯示高階摺疊裝置仍處於技術與商業模型的驗證期;報導並提及中國華為(Huawei)已販售類似裝置、售價約 3,400 美元。

事實上,Apple 對不具長期前景的案子向來「寧砍勿拖」,例如先前的自駕車計畫與具相機的 Apple Watch 皆告終止,近期亦已轉向捨棄較輕薄、低價的 Vision(混合實境頭戴裝置)版本策略。

整體看來,iPad Pro 的散熱創新更接近量產落地,而超大尺吋摺疊 iPad 則仍在風險管理與產品定位的拉鋸中。

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資料來源:彭博社MacRumors

本文初稿為AI編撰,整理.編輯/ 李先泰

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晶片裡的「隱形守護者」!從車用、物聯網到AI人工智慧,看上峰科技如何靠I-fuse®打開新局
晶片裡的「隱形守護者」!從車用、物聯網到AI人工智慧,看上峰科技如何靠I-fuse®打開新局

在電動車的感測系統、物聯網中的無電池標籤,以及AI伺服器的高速記憶體修復技術中,都有一個極其微小、幾乎難以用肉眼辨識的元件,默默地發揮關鍵作用。它負責確保系統功能的正確運作,並保護資料的安全性。這個不起眼卻不可或缺的元件,就是「單次可燒錄記憶體」(OTP)。

想像一下,當你坐在自動駕駛的電動車裡,這台移動的智慧裝置正以每小時100公里的速度行駛。它的感測系統、電池管理與安全控制,全仰賴晶片裡的數十億個電晶體協同運作。然而在這些肉眼不可見的微觀世界中,有一個被稱為「功能保險絲」的關鍵元件,如果它的數據在出廠後因高溫或電壓變化而悄悄「跑掉」,將可能在高速行駛下可能造成無法挽回的危險 。

當晶片製程往先進節點發展,傳統OTP技術隨製程微縮而暴露出可靠度與壽命的瓶頸。過去在成熟製程表現穩定的方案,進入7奈米或更先進的製程後,讀取壽命竟從理論上的「無限次」驟降至僅能維持數秒,突顯現有技術難以因應先進製程需求,對需要長期穩定運作的車用與工業應用而言是不可承受的風險。作為矽智財供應商的上峰科技,正是專注於這項關鍵技術的代表之一,其專利OTP技術已被應用於車用電子、物聯網裝置、AI與高可靠性工業設備等多個領域,為全球客戶提供穩定且可持續的解決方案 。「我們的目標是讓OTP在先進製程中一樣可靠,甚至比以前更好。」上峰科技創辦人暨董事長莊建祥開門見山地說。

以電遷移取代爆炸,上峰科技重寫OTP的可靠性

不同於傳統電子熔絲(eFuse)依靠高電流「爆炸式」燒斷導體,或反熔絲(Anti-fuse)以高電壓擊穿氧化層,上峰科技的I-fuse®解決方案採用低於熔斷點的熱輔助電遷移機制。簡單來說,就是用較低的電流與電壓,讓金屬原子在導線內緩慢遷移並改變阻值,而不是粗暴地炸斷它。

莊建祥解釋到,不同於eFuse的「爆炸式」斷裂,I-fuse®的方式更像是一種「緩慢推動」金屬原子的遷移,過程溫和卻能精準改變阻值。因為沒有爆炸,自然就沒有金屬碎屑或自我接回的風險,編程狀態因此能長期保持穩定;而在過程中所需的電壓與電流也遠低於傳統技術,無需高壓電路與內建電荷泵,讓系統設計更簡潔、功耗更低。

他進一步談到,I-fuse®還能在讀取過程中模擬燒錄狀態,所謂的"假燒”,產生類似靜態隨機存取記憶體(Static Random-Access Memory, SRAM)的重複讀寫測試模式,對整個OTP區塊進行全面檢測,確保每一顆出廠的OTP在進入車用或其他高安全性應用之前,都已經通過完整的可靠度驗證,以達成"零缺陷”。過去十多年,I-fuse®已在多種製程節點完成驗證,包括成熟製程與高介電常數金屬閘極(High-k Metal Gate, HKMG)節點。2023年,上峰科技也曾宣布I-fuse®成功在12奈米鰭式場效電晶體(Fin Field-Effect Transistor, FinFET)製程完成矽驗證,不僅延續低成本與設計彈性的優勢,也證明即使在先進製程下,仍能以極小面積支援業界優異的低操作電壓,且無需額外光罩與電荷泵。

不過隨著製程微縮,金屬線寬與高度同步縮小,對爆炸式燒斷的OTP而言是嚴峻挑戰,卻讓 I-fuse®的電遷移機制更得心應手,莊建祥表示當線條越細,越容易在低電壓下完成燒錄,因此上峰科技有足夠的信心能直接從12奈米跨入7奈米,並規劃向3奈米、甚至環繞式閘極(Gate-all-around, GAA)與FinFET架構前進。

計畫助攻跨入7奈米,I-fuse®應用版圖持續擴張

上峰科技聚焦標準邏輯製程,I-fuse® 助力解決晶片製程轉換關鍵挑戰。
上峰科技聚焦標準邏輯製程,I-fuse® 助力解決晶片製程轉換關鍵挑戰。
圖/ 數位時代

而這次的跨越,正是因為有經濟部產業發展署推動的「驅動國內IC設計業者先進發展補助計畫」(以下簡稱晶創IC補助計畫)協助。莊建祥坦言,對規模不大的IP業者而言,先進製程開發風險高、投入成本大,如果沒有外部資源挹注,很難同時負擔研發與驗證。「晶創IC補助計畫」不僅減輕了資金壓力,更讓上峰科技能集中火力解決7奈米製程的關鍵挑戰,包括更嚴格的設計規範與更密集的繞線限制。

「只要製程允許,我們的技術就能做。」莊建祥強調,I-fuse®採用晶圓廠提供的標準邏輯製程材料,不需改變製程或額外光罩,因此對製程轉換的適應速度遠優於其他OTP技術。「別人可能要花三、四年才能適應新的製程架構,我們幾乎可以無縫切換。」

OTP雖小但其用途極廣。在車用感測器中,它是確保不同零件出廠後能進行精準校正的關鍵;在 AI 伺服器與高速運算晶片裡,它能修補記憶體陣列中損壞的位元,延長晶片壽命;在物聯網無電池的裝置中,I-fuse®以極低讀取電壓(0.4V / 1µW)就能運作,適合能量收集環境。莊建祥更明確指出,I-fuse®未來將持續鎖定Wi-Fi裝置、微控制器單元(Microcontroller Unit, MCU)等對低功耗與高可靠性有高度需求的市場,與現有的車用與工業應用形成互補布局。

在全球晶片供應鏈中,OTP 是與輸入/輸出函式庫(I/O Library)、標準單元庫、靜態隨機存取記憶體編譯器(SRAM Compiler) 並列的「四大基礎 IP」之一,幾乎每顆晶片都需要。掌握這項技術,不僅是產品設計的靈活度,更關乎先進製程的導入速度與成本控制。上峰科技的策略是在穩固現有國際客戶基礎上,藉由「晶創IC補助計畫」加速進入7奈米,並持續向更先進節點前進。透過低功耗、高可靠性的 I-fuse®,讓臺灣有機會在先進製程OTP技術上,取得與國際一線供應商並肩甚至領先的地位。

「我們希望成為各種應用場景中,最可靠、最靈活的OTP解決方案。」 莊建祥說。從成熟製程到 7 奈米,從車用到AI與IoT,這顆小小的OTP正承載著臺灣在先進製程中的另一項關鍵優勢。

|企業小檔案|
- 企業名稱:上峰科技
- 創辦人:莊建祥
- 核心技術:專注於OTP矽智財的研發
- 資本額:新台幣2億元
- 員工數:46人

|驅動國內IC設計業者先進發展補助計畫簡介|
由國科會協調經濟部及相關部會共同合作所提出「晶片驅動臺灣產業創新方案」,目標在於藉由半導體與生成式AI的結合,帶動各行各業的創新應用,並強化臺灣半導體產業的全球競爭力與韌性。在此政策框架下,經濟部產業發展署執行「驅動國內IC設計業者先進發展補助計畫」,以實質政策補助,於113年鼓勵業者往AI、高效能運算、車用或新興應用等高值化領域之「16奈米以下先進製程」或「具國際高度信任之優勢、特殊領域」布局,以避開中國大陸在成熟製程的低價競爭,並提升我國IC設計產業價值與國際競爭力。

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