先進封裝又有新方向？近期市場傳出台積電正在開發一項內部稱為「EMIB-like」的先進封裝技術，方向類似英特爾（Intel）的EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，嵌入式多晶片互連橋接技術）。《The Information》7月30日引述知情人士報導，截至2026年8月，台積電尚未正式發布相關技術。
台積電原本已有CoWoS-S、CoWoS-L等2.5D先進封裝技術，英特爾EMIB則是另一條已量產多年的路線。兩者都用來把運算晶片、小晶片與HBM等元件整合在同一個封裝中，在AI、高效能運算等市場服務相近需求。2026年5月，聯發科便表示同時支援台積電CoWoS與英特爾EMIB，由客戶自行選擇封裝平台。
「類EMIB」消息曝光後，市場關注也延伸至封裝基板供應鏈。景碩有相關開發消息，欣興已有英特爾EMIB實際合作經驗，南電則持續提升高階ABF載板規格，成為這波題材下受到關注的台灣廠商。
本文重點
- 類EMIB仍處開發消息階段，台積電尚未公布正式架構與量產時程。
- CoWoS-L採用正反面具RDL的模塑中介層，並嵌入局部矽互連（LSI），英特爾EMIB則把矽橋直接嵌入封裝基板。
- 景碩有類EMIB相關開發消息，欣興已有英特爾EMIB合作經驗，南電則具高階ABF載板技術布局。
台積電類EMIB是什麼？
台積電類EMIB是市場傳出的一項橋接式先進封裝研發方案，工程團隊內部稱為「EMIB-like」，方向類似英特爾EMIB。
《The Information》2026年7月30日引述知情人士報導，台積電正在開發新的AI晶片封裝技術，台積電工程師內部將這項計畫稱為「EMIB-like」。截至2026年8月，這項技術尚未出現在台積電公開的3DFabric產品線，正式名稱、互連結構、合作供應商與量產時程都尚未公布。
台積電已有CoWoS-L，為什麼還要做「類EMIB」？
CoWoS-L與EMIB都是2.5D先進封裝技術，目的是讓多顆晶片在同一個封裝內高速交換資料，兩者最大的結構差異，在於負責局部高速互連的矽結構放在哪裡。
所謂2.5D先進封裝，可以簡單理解成把GPU、AI加速器、小晶片與HBM等不同晶片放進同一個封裝，再利用高密度線路讓它們快速交換資料。台積電的CoWoS與英特爾的EMIB都服務這類需求，也因此在AI與高效能運算封裝市場形成競爭。
先看CoWoS-L。晶片下方原本就有封裝基板（substrate），負責承載晶片，並將電源與訊號連接至下方電路板；CoWoS-L則在晶片與封裝基板之間加入RDL（Redistribution Layer，重布線層）中介層（interposer），讓不同晶片之間可以配置更密集的線路。
CoWoS-L還會在RDL中介層內嵌入LSI（Local Silicon Interconnect，局部矽互連）。LSI是一小塊具有高密度銅線的矽片，只放在需要高速傳輸的位置，負責連接SoC、小晶片與HBM。相較CoWoS-S使用一整片大型矽中介層，CoWoS-L只在關鍵互連區域使用矽，其餘訊號與電源則透過RDL傳輸。台積電首款3.5倍光罩尺寸的CoWoS-L已於2024年量產。
英特爾EMIB也使用局部矽片，但直接把小型矽橋（silicon bridge）嵌入封裝基板。製程會在基板形成凹槽，再把矽橋放入其中，讓相鄰晶片透過矽橋高速連接，不需要另外配置大型矽中介層。英特爾表示，EMIB自2017年起量產，已應用於伺服器、網路與HPC產品。
因此，CoWoS-L可以理解為「RDL中介層搭配局部矽片LSI」，EMIB則是「直接把局部矽橋嵌入封裝基板」。英特爾官方資料顯示，EMIB只有矽橋附近需要採用較密集的微凸塊（microbump），其餘晶粒核心區域可維持較大的凸塊間距，並以小型矽橋取代其他2.5D方案常見的大型矽中介層。
類EMIB傳聞出現時，台積電CoWoS先進封裝產能正處於吃緊狀態。2026年7月16日法說會上，分析師兩度問到英特爾EMIB-T帶來的競爭，董事長暨總裁魏哲家表示，台積電後段封裝產能已緊張到限制部分客戶成長，因此歡迎市場增加其他封裝選項，分擔部分封裝負載。
類EMIB若後續成為正式產品，台積電將在既有CoWoS之外增加另一種先進封裝架構，客戶也會多一種整合運算晶片與HBM的技術選項。
類EMIB、Intel EMIB、CoWoS-S、CoWoS-L差在哪？
CoWoS-S使用大型矽中介層，CoWoS-L改用RDL中介層搭配局部LSI，英特爾EMIB則直接把局部矽橋嵌入封裝基板；類EMIB的正式結構尚未公布。
| 技術 | 開發商 | 主要互連方式 | 是否使用大型矽中介層 | 局部矽結構位置 | 技術成熟度 | 公開資訊狀態 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 類EMIB | 傳為台積電 | 尚未公布 | 尚未公布 | 尚未公布 | 媒體稱仍處開發階段 | 台積電尚未正式發布 |
| Intel EMIB | 英特爾 | 局部矽橋搭配封裝基板 | 否 | 嵌入封裝基板 | 2017年起大量製造 | 英特爾官方已公開 |
| CoWoS-S | 台積電 | 大型矽中介層提供高密度互連 | 是 | 不適用 | CoWoS平台自2012年量產 | 台積電官方已公開 |
| CoWoS-L | 台積電 | RDL中介層搭配LSI | 否 | LSI嵌入RDL中介層 | 3.5倍光罩版本2024年起量產 | 台積電官方已公開 |
為什麼市場先點名ABF載板廠？
如果類EMIB採用接近英特爾EMIB的基板嵌橋架構，封裝基板將直接參與晶粒之間的高速互連，因此具備高階ABF載板與橋接式基板製造能力的業者受到市場關注。
ABF載板是高階CPU、GPU與AI晶片常見的封裝基板，負責承載晶片，並將訊號與電源向下連接至電路板。EMIB則進一步把局部矽橋直接整合進基板，使封裝基板本身也參與相鄰晶粒之間的高速連接。英特爾官方也指出，EMIB與標準封裝流程的主要差異集中在基板製造。
隨著AI晶片整合更多運算晶片與HBM，封裝面積與布線複雜度持續增加，高階載板也往更高層數、更大尺寸與更細線路發展，玻璃基板則是市場關注的另一條材料路線。若類EMIB採用相近架構，具備高階ABF製造能力與相關基板經驗的廠商，也會成為供應鏈的主要觀察對象。
類EMIB概念股有哪些？景碩、欣興、南電為何被市場點名？
截至2026年8月，台積電尚未公布類EMIB供應商。台灣市場主要關注景碩、欣興與南電，其中景碩有類EMIB相關開發消息，欣興已有英特爾EMIB合作經驗，南電則具備高階ABF載板能力。
景碩與這次台積電類EMIB消息的關聯最直接。《The Information》報導稱景碩參與台積電類EMIB開發，但台積電與景碩均尚未公開證實合作關係。欣興則已實際參與英特爾EMIB供應鏈，因應英特爾先進封裝需求投入興建EMIB廠。南電目前的連結主要來自高階ABF載板技術，但目前沒有公開的專案合作證據。
| 公司 | 產業位置 | 與類EMIB的連結 | 公開佐證 | 是否為已確認供應商 |
|---|---|---|---|---|
| 景碩（3189） | FCBGA、ABF載板 | 相關媒體消息指向參與類EMIB開發 | 高階FCBGA應用涵蓋GPU、ASIC，具細線路、小間距與高層數能力 | 否，台積電尚未公布 |
| 欣興（3037） | ABF載板、PCB | 已參與英特爾EMIB | 公司公開談及與英特爾合作EMIB，並投入相關產能 | 否，台積電尚未公布 |
| 南電（8046） | ABF載板 | 具高階ABF載板製程能力 | 官方技術藍圖持續往高層數、大尺寸與細線路發展 | 否，台積電尚未公布 |
投資類EMIB概念股有哪些風險？
類EMIB仍處開發消息階段，台積電尚未公布正式架構、供應商與量產時程，各家概念股距離實際商業化的程度也不相同。
第一，類EMIB尚未成為台積電正式公布的3DFabric產品，正式技術名稱與規格仍未公開。
第二，類EMIB的矽橋位置、基板結構與製程分工仍沒有台積電官方資料。矽橋放置位置、基板結構與製程分工，將直接影響基板、材料與設備需求。
第三，台積電已經擁有量產中的CoWoS-L。CoWoS-L自2024年投入量產，且持續擴大中介層尺寸，類EMIB後續若成為正式產品，兩種架構的產品定位與客戶分工仍待台積電公布。
第四，從工程開發、客戶驗證到正式量產存在時間差，供應鏈業者的營收貢獻則取決於實際訂單、良率與產能利用率。
FAQ
類EMIB和CoWoS-L有什麼不同？
台積電尚未公布類EMIB結構，目前無法比較。可參考的是英特爾EMIB把矽橋嵌入封裝基板，CoWoS-L則把LSI嵌入RDL中介層。
台積電公布合作廠商了嗎？
尚未公布，目前景碩有相關開發消息，欣興已有英特爾EMIB合作經驗，南電則具高階ABF載板技術布局。
Intel EMIB概念股等於台積電類EMIB概念股嗎？
不完全相同。英特爾EMIB已有量產供應鏈，台積電類EMIB仍處開發消息階段，部分具橋接式封裝或高階載板能力的業者可能重疊。
類EMIB何時量產？
截至2026年8月沒有公開量產時程，台積電也尚未正式發布這項技術。
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