2023.6.30更新
三星一名常務先前涉嫌竊密，要在中國境內蓋出「山寨版」的廠，路透社在報導中指出，他是韓國半導體業的知名人物崔珍奭，他也已在5月25日被關押，並於6月初遭到韓國檢方起訴。
崔珍奭在給路透社的一封手寫信中為自己辯護提到，原本計劃要替鴻海打造新廠，對DRAM記憶體晶片進行早期測試生產，三星西安廠生產的則是儲存型快閃記憶體（NAND Flash）。他提到，DRAM製程技術與製造NAND快閃記憶體有30%以上的不同，DRAM製程更加複雜，而且製造這兩種晶片所使用的一些設備也不同。
崔珍奭在信中表示，兩者使用的是不同設備，「（三星）NAND快閃記憶體設備的設計對我們來說確實沒有用處。」
根據先前的報導，崔珍奭規劃建設的工廠距離三星電子西安廠僅1.5公里遠，但建廠計畫受原訂來自台灣企業的資金未到位影響未能實現。究竟發生什麼事，以下文章一次看：
韓國半導體大廠三星電子一名常務涉嫌收受中資，意圖在中國境內建設「復刻版」三星電子半導體廠，遭韓國檢方拘留起訴。
韓國水原地檢署今天表示，已經以違反產業技術保護法、防治不當競爭法等罪嫌，對這名65歲常務A某提出拘留起訴。
三星前高層竊工廠設計圖，意圖輸出30奈米以下等級製造技術
A某除在三星電子擔任常務，也曾任SK海力士副社長，在半導體製造商算是極具影響力的人物，調查顯示，他曾指示員工騙取三星電子核心技術。
據調查，A某涉嫌在2018年8月至2019年間不當取得、使用三星電子半導體廠的設計基本資料（BED）與工廠配置圖、設計圖等商業機密，設計30奈米以下等級、DRAM與NAND快閃記憶體等被韓國政府定為國家核心技術的製造技術。
「三寨版」三星未能付現，原因是台灣來的資金沒到位
A某規劃建設的工廠甚至距離三星電子西安廠僅1.5公里遠，但建廠計畫受原訂來自台灣企業的資金未到位影響未能實現。
綜合YTN，亞洲經濟等韓媒報導，A某在2015年與鴻海集團旗下富士康簽約，在新加坡設立公司後挖角200多名三星電子員工。2019年10月為在西安建廠，於中國北京設立公司，期間收受來自成都市的4600億韓元（約新台幣107億元）資金，利用竊取的三星電子技術生產最新產品，但因建廠計畫失敗而未能量產。
檢方指出，這次案件並非單純洩漏半導體相關技術，而是試圖在中國完全複製韓國企業的半導體工廠，在國際半導體產業競爭激烈狀況下，是危及韓國半導體根幹的重大犯罪行為。
A某在中國設立公司所屬5名員工及一名三星電子合作廠商員工也以違反防治不當競爭法罪嫌遭不拘留起訴。
本文授權轉載自：中央社
責任編輯：林美欣
