半導體設備大廠應用材料（Applied Materials）5日宣布將斥資40億美元，規畫於美國矽谷成立「設備與製程創新暨商業化（EPIC）中心」，攜手諸如晶圓客戶、大學和生態系客戶，加速先進設備的研發及30%的設備商轉時程。同時，應材也分享今年台灣國際半導體展SEMICON的技術亮點，是如何降低能耗，並為客戶省下成本。
全球最大半導體設施！十年研發投資額達250億美元
隨著晶片技術越趨精密，不少半導體設備都須在晶圓製程開發前期就同時開發。應用材料希望透過設備與製程創新暨商業化中心，串聯研究人員、晶圓業者以及學界人才協作，預計2026年第一季將開始營運。
台灣應用材料總裁余定陸指出，EPIC中心占地18萬平方公尺，未來7年總投資額將達40億美元。其中營運前十年研發投資超過250億美元，落成後將是全球規模最大的半導體設施，以因應2030年半導體產值將超越1兆美元的商機。
余定陸表示，該中心將會為每個晶圓製造客戶，在研發廠房內打造專屬空間，「不同晶圓廠間會隔開。」
除此之外，應用材料各部門技術主管，也分享今年應用材料在台灣國際半導體展SEMICON上的技術亮點。
亮點一：設備革新！Vistara晶圓製造平台，一個設備完成多個製程
應用材料透過設備的革新，推出Vistara晶圓製造平台，最多可在一個機台內處理六批次的晶圓。如下圖，咖啡色處即為裝載晶圓的容器，將以自動化方式送入斜右方的白色區域的各製程室，讓晶圓可用一個設備完成多個製程步驟，包含磊晶、蝕刻和化學沉積等。
不僅如此，每一項機台也都加裝了數千個感測器，將數據傳送到應材的AI軟體平台，加速製程優化的過程。從節能角度來看，Vistara與過去的平台相比，因為能一站完成多個功能，能耗平均下降35%。
亮點二：採「雙重曝光」作法，每片晶圓可省50美元成本
隨著先進製程發展，EUV（極紫外光曝光機）的使用越來越重要。隨著晶片越來越小，電晶體和內連布線局的間隙也更近，僅使用EUV來做曝光有極限，晶圓製造商因此選擇以曝光兩次的「雙重曝光」作法，在晶片上製造出想要的線路。
不過EUV耗電且昂貴，應用材料因此推出「Centura Sculpta」圖案化系統。簡單來說，晶圓廠可透過一台EUV，再加上應用材料的Sculpta機台，就可以達成雙重曝光的效果，每片晶圓約可節省50美元的製造成本。應用材料表示，目前已經有客戶購買該設備。
責任編輯：林美欣
