聯電矽光子布局迎來首項商業量產成果。7月14日，聯電與新加坡矽光子晶片設計公司SILITH宣布，聯電新加坡12吋晶圓廠已完成首批矽光子量產晶圓交付，支援SILITH每秒1.6T（1.6 Tbps）光互連解決方案，用於AI及超大規模資料中心的高速光互連。
聯電表示，這是首項成功商業化的矽光子客戶產品，也是新加坡12吋晶圓廠首次交付量產矽光子晶圓，代表聯電過去幾年的技術準備，已開始轉化為實際客戶成果。
雙方花費18個月，將這套平台從開發推進至量產。SILITH負責矽光子架構與產品設計，聯電則將設計導入12吋晶圓製程，使產品效能、良率與可靠度達到量產標準。該平台目前已通過一家領先雲端基礎設施客戶認證，可進行大量布建。
聯電執行長王石今年初表示，先進封裝與矽光子將成為公司新的成長動能。此次SILITH產品量產，代表聯電已取得第一項12吋矽光子商業實績；另一個關鍵進度，則是預計在2027年對客戶開放的自有平台。
不做先進AI晶片，聯電如何靠矽光子卡位？
聯電近年沒有跟進2奈米、3奈米等最先進邏輯製程競賽，而是將資源集中於成熟邏輯與特殊製程，包括射頻、電源管理、嵌入式高壓及非揮發性記憶體等領域。這類產品不以追求最小製程線寬，而是透過元件效能、製程穩定性、良率與成本控制建立競爭力，而矽光子也延續了相近的製造邏輯。
隨著AI資料中心快速擴張，矽光子的市場需求也逐漸明朗。AI系統需要在大量運算晶片、伺服器與網路設備之間傳送資料，傳統銅互連在頻寬、傳輸距離及功耗方面開始面臨限制，帶動資料中心轉向更高速、低延遲且節能的光互連。聯電雖然不直接生產最先進的AI運算晶片，仍可透過矽光子製造參與AI基礎設施市場。
聯電表示，這項布局建立在公司既有的製造能力上。聯電過去已有8吋矽光子量產經驗，並具備矽光子所需的SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣層上覆矽）晶圓製程技術；去年底取得比利時半導體研發機構imec技術授權後，聯電進一步將相關能力延伸至12吋矽光子製程，準備建立可供不同客戶開發光子晶片的平台。
客戶產品先量產，聯電自有平台仍在路上
聯電過去已累積8吋矽光子量產經驗，並在2025年12月取得imec的iSiPP300製程授權，準備建立自有12吋矽光子平台。聯電當時表示，已與多家新客戶合作，預計於2026年至2027年展開風險試產，初期產品將鎖定光收發器所需的光子晶片。
在平台建置持續推進之際，聯電也率先完成一項客戶產品的量產。2026年7月，聯電宣布新加坡12吋晶圓廠已交付首批SILITH矽光子晶圓，成為聯電首項成功商業化的矽光子客戶產品。聯電表示，這項合作由SILITH負責產品架構與晶片設計，聯電提供12吋晶圓製造與製程整合；產品已達到量產所需的效能、良率與可靠度，並通過一家領先雲端基礎設施客戶認證，可進行大量布建。
SILITH案與聯電自有平台代表兩種不同進展。前者是聯電依照特定客戶產品進行製程整合，並率先取得商業量產成果；後者則以imec技術為基礎，目標是建立可供更多客戶開發產品的12吋平台。聯電預計於2027年正式對外提供自有平台。
從光收發器走向CPO，聯電同步布局400G與新材料
聯電曾表示，12吋矽光子平台初期將以光收發器所需的光子晶片為主，預計於2026年至2027年展開風險試產。隨著資料中心傳輸速度持續提升，聯電也計畫結合先進封裝，進一步發展共封裝光學與光學I/O，讓光學元件更靠近交換器或運算晶片，縮短資料傳輸距離並降低功耗。
在傳輸規格方面，聯電已與SILITH合作開發每通道400G的純矽光子平台，採用高速調變器，瞄準下一代AI資料中心的高速光互連需求。相較目前每通道200G產品，400G可在相同通道數下進一步提高整體傳輸頻寬。
除了純矽光子之外，聯電也同步布局鈮酸鋰薄膜（TFLN）技術，與美商HyperLight、子公司聯穎光電等夥伴合作擴大量產。純矽光子較容易沿用半導體製程，具備量產與成本優勢；鈮酸鋰薄膜則著重更高頻寬與較低功耗。聯電同時發展兩條路線，希望因應不同產品對傳輸速度、成本與整合方式的需求。
目前聯電尚未公布SILITH產品的晶圓出貨規模、產能配置及營收貢獻，這項業務短期內能帶來多少成長仍待觀察。此次量產讓聯電取得第一項12吋矽光子客戶實績，下一個重要時間點則是2027年，屆時自有平台能否如期開放，以及客戶風險試產能否進一步轉為量產，將決定矽光子能否成為聯電的新成長來源。
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