記憶體大廠美光（Micron）2月26日宣布，最先進的DRAM（動態隨機存取記憶體）1-γ （gamma） 節點的樣品正出貨至合作夥伴和客戶進行驗證，具效能更高、功耗更低且位元密度更高等優勢，將由台灣、日本廣島廠共同生產。
美光的1γ DRAM基於第六代10奈米等級，為首度採用極紫外光（EUV）微影技術，應用涵蓋資料中心、AI PC、行動裝置、車用、遊戲等領域。
1γ節點指的是什麼？有哪些優勢？
就像邏輯晶片生產分為3奈米、2奈米等製程，記憶體中的DRAM也有製程迭代，依序為：1y、1z、1α（1-alpha）、1β（1-beta）和1γ（1-gamma）等製程節點。
在業者的研發藍圖上，韓系記憶體製造商三星（Samsung）及海力士（SK Hynix）以「1b」對標第五代DRAM的1β製程、「1c」則對標第六代DRAM的1γ製程。
記憶體三大原廠都將在2025年步入1γ、1c製程，其中美光及海力士的腳步較快。 海力士於2024年8月宣布完成開發1c製程DDR5，2025年將開始供應產品；三星則稍晚一些，2025年初曾傳出因良率問題重新設計1c製程，完成開發時間由2024年底推遲至2025年中，實際量產預計將在2025年底。
美光副總裁暨運算與網路事業部運算產品事業群總經理Praveen Vaidyanathan表示，美光的1γ DRAM節點具備3大關鍵優勢：
1.提升效能： 提供高達9200MT/秒的資料傳輸速率，與前一代產品相比增速達15%。
2.節省能源： 採用下一代高介電質金屬閘極（CMOS）技術，可節省功耗超過20%，讓散熱特性更為優異。
3.提高位元密度產出： 採用EUV微影技術，與前一代製程相比，每片晶圓的位元產出量多出30%以上，意味著能以更低的成本生產更多記憶體。
1γ製程是美光首次採用EUV微影製程，三星及海力士數年前就已導入EUV。美光DRAM技術研發資深副總裁白竹茂指出，經過審慎評估，美光選擇了最佳時機首次在DRAM製造中導入EUV微影技術，「EUV讓我們能夠實現更高密度的電路佈局，並且能夠進一步微縮。」
應用涵蓋資料中心、邊緣AI，美光HBM4目前仍規劃採1β製程
美光的1γ節點將首先應用於16GB DDR5 DRAM產品，再陸續整合各項產品組合中，橫跨資料中心、行動記憶體、車用記憶體及遊戲等領域。
以資料中心伺服器來說，1γ DDR5記憶體可使資料中心效能提升達15%，並增加能源效率，最佳化機架級電源和散熱設計。
而在邊緣AI方面，1γ DDR5記憶體可提供更佳的省電效能、更高的頻寬，延長電池續航力並改善使用者體驗，涵蓋AI PC、行動裝置、智慧汽車等應用。
Praveen Vaidyanathan指出，目前1γ製程節點的DDR5將由日本廣島廠與台灣廠共同生產，具體量產時程，將視市場需求與客戶認證進度決定。
至於資料中心AI運算不可或缺的HBM（高頻寬記憶體），以目前主力的HBM3e來說，美光與海力士分別採1β、1b製程，三星則採用1a製程。現階段美光仍以1β製程為HBM3e、以及下一代HBM4的主要技術基礎。
美光在2024年底曾發布HBM4、HBM4E計畫的最新進展，HBM4有望於2026年量產，HBM4E預計將在2027~2028年亮相。
